CMOS反相器

作品数:42被引量:50H指数:4
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:赵建文崔铮李静月刘刚王泉更多>>
相关机构:西安电子科技大学电子科技大学中国科学院中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊:《无线电》《微处理机》《山西电子技术》《微电子学》更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划湖北省自然科学基金国家科技型中小企业技术创新基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
CMOS反相器的快上升沿强电磁脉冲损伤特性被引量:1
《强激光与粒子束》2022年第8期75-83,共9页梁其帅 柴常春 吴涵 李福星 刘彧千 杨银堂 
National Natural Science Foundation of China(61974116)。
随着电磁环境的日益复杂,保证集成电路(IC)的可靠性成为一个巨大的挑战。在此基础上,通过对CMOS反相器的仿真和实验研究,研究了快上升沿电磁脉冲(EMP)引起的陷阱辅助隧穿(TAT)效应。对此进行了详细的机理分析用于解释其物理损伤过程。EM...
关键词:CMOS反相器 电磁脉冲 陷阱辅助隧穿 机理分析 
基于CMOS反相器的模拟电路研究
《天津职业技术师范大学学报》2022年第1期46-51,共6页裴志军 
电源电压随CMOS工艺节点微缩而降低,使模拟电路设计面临严峻挑战。CMOS反相器因其结构简单,在给定电流下可获得相对高的线性跨导,适合于作为低压高能效模拟电路的构造单元。文章分析了低压高能效模拟单元电路,包括运算跨导放大器、高增...
关键词:CMOS反相器 低电压 高能效 模拟电路 运算跨导放大器 
CMOS反相器虚拟仿真实验中的实践研究与探讨
《科技创新导报》2021年第12期223-225,共3页张金灿 张羽 刘博 刘敏 
河南科技大学教育教学改革研究与实践项目,面向工程应用的《集成电路原理与设计》“贯通式”教学探索(项目编号:2019YBN-007)。
CMOS反相器作为集成电路最基本的门电路,是电子科学与技术、电子信息工程、集成电路设计等专业学生的必备知识与技能。MOS反相器虚拟仿真实验,以两种MOS反相器设计对比为研究内容,既有线上操作、网络答疑,又有线下指导。采用“贯通式”...
关键词:实验课改革 反相器 集成电路 虚拟仿真 
基于Cadence的CMOS反相器的特性分析与仿真被引量:2
《通信电源技术》2021年第2期59-60,共2页钱香 陆亚青 
CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多。CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的基本单元之一,为了分析其直流特性和瞬态特性,用Cadence软件设计了一种CMOS反相器。由CMOS反相器的上升时...
关键词:CMOS反相器 电压传输特性 上升时间 下降时间 
基于CMOS反相器的脉冲窗口比较器被引量:1
《山西电子技术》2020年第5期6-8,共3页崔建国 宁永香 
传统利用两个单限比较器实现窗口比较器的方案电路结构较复杂,且同时只能输出一个极性的脉冲,设计一种新颖的基于CMOS反相器的脉冲窗口比较器,窗口比较器只用了三个CMOS反相器、二个电阻、二个预置电位器和一个开关二极管,根据CMOS反相...
关键词:脉冲窗口 CMOS反相器 阈值 箝位 
深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究被引量:2
《微电子学》2019年第5期729-734,共6页高成 张芮 王怡豪 黄姣英 
十三五计划微电子预研项目(6140002010202)
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值...
关键词:CMOS反相器 单粒子瞬态效应 TCAD仿真 脉冲激光试验 
宽长比对CMOS反相器延迟时间影响的分析
《电子测试》2019年第17期46-47,共2页张照锋 董海青 
南京信息职业技术学院开放基金“高速CMOS sigma-delta ADC集成电路研究与设计(KF20160101)”资助
延迟时间是集成电路中的重要参数,特别是在高速高频集成电路中,本文主要研究CMOS器件宽长比对基本单元反相器传输延迟时间的影响,通过改变MOS晶体管的宽长比,来分析MOS晶体管沟道宽度对延迟时间的具体影响,从而为后续高速集成电路基本...
关键词:宽长比 反相器 延迟时间 
基于cmos反相器的可精确计算延时电路被引量:2
《山西电子技术》2019年第2期3-5,共3页崔建国 宁永香 
CMOS反相器的阈值电压为供电电压的一半,但有-15%~+15%合计30%的运行误差,CMOS反相器之间阈值电压的个体差异,使工程师设计传统RC延时电路时,如果以U_C=0. 5V_(CC)作为阈值电压设计延时、该电路实际运行所获得的延时与设计初衷之间的...
关键词:RC延时电路 τ CMOS反相器 阈值电压 设计参数 运行误差 
CMOS反相器的低频噪声模型分析被引量:1
《中国管理信息化》2017年第13期163-165,共3页赵智超 吴铁峰 
广西高校微波光波应用技术重点实验室项目(MLLAB2016004)
本文结合负载电流以及输出电压的特性,提出了一种针对CMOS反相器的低频噪声模型,同时结合相应的试验,对模型的准确性进行了验证。
关键词:CMOS反相器 低频噪声 模型分析 
CMOS反相器电压传输特性的三维建模及教学方法研究被引量:2
《科教导刊》2017年第6期104-105,共2页张红升 杨虹 周前能 
重庆市高等教育学会高等教育科学研究课题(CQGJ13C446);重庆邮电大学教学改革项目(XJG1505;2015YL-04;2016YL-03);重庆市本科高校"三特行动计划"特色专业(微电子科学与工程)建设经费的支持
针对"数字集成电路设计原理"课程中CMOS反向器电压传输特性曲线难以被学生理解的教学难题,利用MATLAB进行建模,并通过三维图形,形象的展示了CMOS反向器的IV特性曲线和VTC曲线的内在联系和形成机制,提高了教学效果。
关键词:数字集成电路设计 CMOS反相器 MATLAB建模 教学探索 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部