黄姣英

作品数：79被引量：255H指数：7
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发文主题：集成电路元器件可靠性FPGAFLASH存储器更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程一般工业技术更多>>
发文期刊：《集成电路应用》《电子器件》《计算机工程》《中国电机工程学报》更多>>
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结合近场扫描的开关电源电磁辐射仿真研究
《电源学报》2024年第6期311-317,共7页高成 张宇亮 岳阳 黄姣英 
技术基础科研项目(JSZL2017601B011)。
针对开关电源模块工作过程中电磁辐射干扰仿真缺少与实际模块工作情况相结合的问题,提出结合近场扫描的解决方案。首先利用Cadence Allegro软件建立开关电源仿真模型,使用Cadence Sigrity软件对开关电源模块进行电磁辐射仿真,得到近场...
关键词：开关电源模块 电磁辐射仿真 近场扫描 Cadence Sigrity软件 Cadence Allegro软件 
基于开通延迟时间的MOSFET结温的在线测量方法研究
《电源学报》2024年第5期294-299,共6页黄姣英 李昌林 王琪 高成 
随着工业需求的发展,对功率晶体管的可靠性提出了更高的要求。器件结温的实时测量因能够起到保证器件正常工作的作用而至关重要。通过对开通延迟时间在线测量方法的研究,设计测量电路测量不同结温下的开通延迟时间,建立二者关系;测量实...
关键词：结温 热敏电参数 开通延迟时间 
浅析射频SiP多物理场耦合分析关键技术
《电子元件与材料》2024年第9期1041-1052,共12页高成 刘宇盟 李军 黄姣英 李凯 
射频系统级封装(SiP)的多物理场耦合分析问题已经成为限制其可靠性提升的关键因素。当前,射频SiP的多物理场耦合分析内容主要包括模型建立和数值算法,然而,模型建立方法以及算法的适用性与选择方法是一大难点。同时随着物理场和射频SiP...
关键词：射频SiP 多物理场耦合 综述 数值计算 耦合优化 
基于加速退化试验的脉宽调制器贮存寿命预测研究
《现代电子技术》2024年第16期7-12,共6页游文超 孙高宇 彭珂菲 黄姣英 
脉宽调制器作为开关电源的核心器件,已广泛应用于航天器中,但其贮存寿命会影响电源系统的可靠性,进而影响航天器任务执行的成败。在寿命评估中,加速退化试验是常用的试验方法,其中激活能值是预测器件贮存寿命的关键,但目前相关标准只有...
关键词：加速退化试验 脉宽调制器 贮存寿命 Arrhenius模型 激活能 退化敏感参数 
硕士课程元器件可靠性工程基础教改实践
《中国教育技术装备》2023年第22期97-101,共5页黄姣英 高成 李凯 
“十三五”技术基础科研项目“融合失效物理和3F方法的元器件质量分析技术研究”(编号:JSZL2016601B007)。
针对元器件可靠性工程基础课程教学模式的现状和存在的问题,对标一流课程和课程思政要求,将思政教育融入课堂,落实科研反哺教学理念,构建三七分课堂混合式教学模式,完成课程教改实践。结果表明:该课程教学改革行之有效,可为相关课程教...
关键词：思政教育 元器件可靠性工程基础 对分课堂 混合式教学 科研反哺教学 
数字磁耦隔离器的磁场抗扰度评价方法研究被引量：1
《电子测量技术》2023年第17期155-159,共5页高成 刘宇盟 黄姣英 李凯 
在电磁兼容测试领域,缺乏适用于数字磁耦隔离器的磁场抗扰度评价方法。针对此问题,研究数字磁耦隔离器的工作原理,基于电磁兼容原理和IEC等标准,建立一套基于GTEM小室法的针对数字磁耦隔离器的磁场抗扰度评价方法。搭建测试系统,设计电...
关键词：数字磁耦隔离器 电磁兼容 磁场抗扰度 GTEM小室 
“集成电路可靠性分析技术”课程教改探索
《电气电子教学学报》2023年第4期1-6,共6页黄姣英 万博 王香芬 李凯 
北京航空航天大学融合失效物理和3F方法的元器件质量分析技术研究课题(ZL2016601BOO7)。
根据“集成电路可靠性分析技术”课程教学模式的现状和存在的问题,明确思政育人目标,通过四条主线融入思政元素,形成“微思政”的实施策略。在“传统+讨论式”教学、“对分课堂”教学和项目驱动式教学的基础上,构建了三七分课堂混合式...
关键词：微思政 对分课堂 混合式教学 集成电路 翻转课堂 破坏性物理分析 
氟硅凝胶对陶瓷封装隔离器漏电流的影响
《半导体技术》2023年第5期448-452,共5页高成 李凯 黄姣英 刘宇盟 
陶瓷封装隔离器具有高可靠性,灌胶可加强其绝缘性能,但还需要考虑灌胶对隔离器漏电流的影响。以GL3200C型陶瓷封装隔离器为研究对象,研究了氟硅凝胶通过内部水汽对陶瓷封装隔离器漏电流的影响,对隔离器在不同温度下进行稳定性烘焙10 h...
关键词：氟硅凝胶 陶瓷封装隔离器 漏电流 内部水汽含量 腐蚀 
基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器设计被引量：9
《现代电子技术》2022年第22期68-74,共7页黄姣英 赵如豪 王琪 高成 
存储器控制器技术研究对于大幅降低处理器访问存储器带来的时间延迟、缓解“存储墙”问题有着十分重要的意义,常规的依赖MIG IP核设计的存储器控制器难以进行访存延迟的测试。文中选取MT41K128M16JT型号DDR3 SDRAM,基于FPGA设计DDR3 SD...
关键词：控制器设计 DDR3 SDRAM 访存延迟 仿真测试 FPGA Verilog HDL 
基于故障注入的NOR Flash单粒子效应模拟方法研究
《电子测量技术》2022年第13期65-70,共6页黄姣英 何明瑞 袁伟 高成 王乐群 
国家国防科技工业局技术基础科研项目(JSZL2016601B007)资助。
针对目前大容量NOR Flash存储器单粒子效应模拟缺乏具体操作方法的问题,本文提出NOR Flash单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闭锁3种单粒子效应对应软件故障注入方法,设计适用于大容量器件的板级测试系统并进行功能验证,通过故障注入...
关键词：NOR Flash 单粒子效应 故障注入 测试系统 模拟方法 
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