基于InP DHBT工艺16 GS/s采样跟随放大器的设计  

作　　者：李哲[1] 许春良[1] 魏洪涛[1] 方园[1] 刘会东[1] 李远鹏[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2022年第6期4-6,共3页Telecom World

摘　　要：为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(track-and-hold amplifier,THA)进行研究,提出了在6 V电源供电的情况下,采用开关射极跟随器(switched emitter follower,SEF)结构的THA设计方案。通过合理设计DHBT器件的尺寸和偏置电流,使DHBT器件工作在特征频率附近,整体功耗为840 mW。采用馈通消减技术降低谐波失真,测试显示总谐波失真为-31 dBc,无杂散动态范围(spurious free dynamic range,SFDR)为-31 dBc。基于高迁移率InP DHBT器件的设计,该全差分THA的采样率达到16 GS/s,以期为相关人员提供参考。

关 键 词：磷化铟 异质结双极型晶体管 采样跟随放大器 ADC THD 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]