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DHBT: 作品数：72被引量：64H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：程伟刘新宇金智陆海燕徐安怀更多>>; 相关机构：南京电子器件研究所中国科学院微电子研究所中国科学院电子科技大学更多>>; 相关期刊：《半导体技术》《Chinese Physics Letters》《半导体信息》《物理学报》更多>>; 相关基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金浙江省自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>

DC~170GHz InP DHBT超宽带双模混频器: 《固体电子学研究与进展》2025年第2期F0003-F0003,共1页项萍杨昆明王维波程伟陈膺昊苗鹤瑜陈莹梅; 南京电子器件研究所基于自主101.6 mm(4英寸)250 nm InP DHBT工艺平台,设计制备了DC-170GHZ超宽带双模混频器芯片(如图1所示,单只芯片尺寸835μm*650μm)研究了亚微米难熔发射极制备,高质量基极欧姆接触等核心工艺,突破了微带耦合反馈、...; 关键词：亚微米难熔发射极工艺平台基极欧姆接触

0.25μm发射极InP DHBT材料生长与器件性能研究被引量：1: 《固体电子学研究与进展》2023年第6期510-513,共4页马奔于海龙戴姜平王伟高汉超李忠辉; 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),研究InP双异质结双极晶体管(DHBT)的结构设计及外延生长技术。通过采用碳掺杂浓度和InGaAs组分双缓变的基区生长工艺,提高基区的内建电场,加速载流子的渡越,提高基于0.25μm发射极工艺InP DHBT器件的...; 关键词：分子束外延双异质结晶体管铟镓砷截止频率

一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计: 《微电子学》2023年第5期807-813,共7页卢正威苏永波甄文祥丁武昌魏浩淼曹书睿丁健君金智; 北京市新一代信息通信技术创新项目(Z211100004421012); 设计了一种中心频率为75 GHz的单级MMIC功率放大器,基于0.8μm InP DHBT器件制造,该器件f_(t)/f_(max)为171/250 GHz。电路采用两层共基堆叠(CB Stack)结构,其中下层共基偏置采用基极直接接地,输入端发射极采用-0.96 V负压供电的方式,...; 关键词：功率放大器磷化铟 DHBT MMIC

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器被引量：1: 《红外与毫米波学报》2023年第2期197-200,共4页王伯武于伟华侯彦飞余芹孙岩程伟周明; Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。; 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测...; 关键词：磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器宽带

基于碳掺杂InGaAs材料的InP DHBT分子束外延生长研究: 《固体电子学研究与进展》2022年第6期505-509,共5页于海龙高汉超王伟马奔尹志军李忠辉; 采用固态源分子束外延系统(SSMBE),以四溴化碳(CBr_(4))作为碳掺杂源,研究基于碳掺杂InGaAs材料的InP双异质结双极晶体管(DHBT)分子束外延生长工艺。通过In原子补偿工艺,补偿基区InGaAs材料中被CBr_(4)刻蚀的In原子,调整In组分使InGaAs-...; 关键词：分子束外延双异质结晶体管铟镓砷四溴化碳

RF characterization of InP double heterojunction bipolar transistors on a flexible substrate under bending conditions被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2022年第9期64-67,共4页Lishu Wu Jiayun Dai Yuechan Kong Tangsheng Chen Tong Zhang; National Natural Science Foundation of China under Grants 61875241.; This letter presents the fabrication of InP double heterojunction bipolar transistors(DHBTs)on a 3-inch flexible substrate with various thickness values of the benzocyclobutene(BCB)adhesive bonding layer,the correspon...; 关键词：InP DHBT thermal resistance radio frequency BENDING

基于InP DHBT工艺16 GS/s采样跟随放大器的设计: 《通讯世界》2022年第6期4-6,共3页李哲许春良魏洪涛方园刘会东李远鹏; 为了解决超高速数据采集和处理设备因前端芯片性能不足而引发的超高速数据转换器带宽不足、线性度低等问题,本文根据目前国内半导体工艺和集成电路设计的水平,对基于fT>170 GHz InP DHBT工艺的高宽带全差分采样跟随放大器(track-and-hol...; 关键词：磷化铟异质结双极型晶体管采样跟随放大器 ADC THD

InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计被引量：2: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期184-190,219,共8页刘涛刘燚王冯涛; 云南省基础研究项目(210301004);国家级大学生创新创业训练重点项目(20200108Z)。; 应用半导体器件的电阻电容计算理论和SILVACO ATLAS软件,在综合考虑载流子渡越时间和电阻电容延迟时间对增益截止频率的影响下设计了一种InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)结构。该结构中在基区与发射区之间加入P...; 关键词：双异质结双极晶体管(DHBT) InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP 渐变材料梯度掺杂

4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT: 《固体电子学研究与进展》2022年第3期191-195,共5页戴姜平常龙李征王学鹏林浩程伟; 报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器...; 关键词：磷化铟双异质结双极型晶体管自对准介质钝化小信号模型

太赫兹InP DHBT器件研究被引量：4: 《微波学报》2022年第2期76-79,85,共5页陈卓何庆国崔雍周国; InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一。文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿...; 关键词：磷化铟双异质结双极型晶体管制造工艺高频器件空气桥

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