常龙

作品数：13被引量：15H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：INPDHBT磷化铟GHZ异质结双极型晶体管更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
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4英寸f_(max)=620 GHz的0.25μm InP DHBT
《固体电子学研究与进展》2022年第3期191-195,共5页戴姜平 常龙 李征 王学鹏 林浩 程伟 
报道了一款在101.6 mm(4英寸)InP晶圆上制备的特征尺寸为0.25μm的磷化铟双异质结双极型晶体管。采用发射极自对准技术和介质钝化工艺,器件的发射极典型尺寸为0.25μm×3.00μm,最大电流增益为25,当发射极电流密度为10μA/μm^(2)时,器...
关键词：磷化铟双异质结双极型晶体管 自对准 介质钝化 小信号模型 
最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》2021年第3期F0003-F0003,共1页戴姜平 孙岩 李征 常龙 姚靖懿 程伟 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研制。图1和图2分别展示了南京电子器件研究所研制的101.6mm(4英寸)0.25 μm InP DHBT器件剖面图和高频性能...
关键词：单片集成电路 击穿电压 最高振荡频率 电流增益 高频性能 截止频率 磷化铟 DHBT 
101.6 mm(4英寸)0.7μm InP HBT工艺及其应用被引量：3
《固体电子学研究与进展》2019年第4期301-305,共5页戴鹏飞 李征 戴姜平 常龙 姚靖懿 程伟 任春江 
报道了采用多层布线的101.6mm(4英寸)0.7μm InP HBT圆片工艺.器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容.研制得到的0.7μm InPHBT器件电流增益截止频率(fT)为330GHz,最大振...
关键词：磷化铟异质结双极晶体管 制造工艺 高集成度 多层布线 
300GHz InP DHBT单片集成放大器被引量：4
《固体电子学研究与进展》2017年第4期F0003-F0003,共1页孙岩 程伟 陆海燕 王元 常龙 孔月婵 陈堂胜 
太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器...
关键词：DHBT 单片集成放大器 INP 异质结双极型晶体管 功率放大器 SI/SIGE 太赫兹 宽带通信 
面向100 GHz+数模混合电路的0.5 μm InP DHBT工艺（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2017年第2期167-172,共6页程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 
Supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province of China(BK20131072)
报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺.发射极尺寸为0.5μm×5μm的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350 GHz以及532 GHz,击穿电压4.8 V.基于该工艺研制了114 GHz静态分频器以及...
关键词：磷化铟 异质结双极型晶体管 分频器 
基于InP DHBT工艺的13 GHz 1:8量化降速电路
《固体电子学研究与进展》2016年第6期521-,共1页程伟 张有涛 李晓鹏 王元 常龙 谢俊领 陆海燕 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用InP DHBT超高速...
关键词：InP DHBT DHBT GHz 1 
基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》2016年第5期435-,共1页程伟 孙岩 王元 陆海燕 常龙 李骁 张勇 徐锐敏 
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使...
关键词：DHBT 单片 集成功率放大器 InP DHBT 
SiN钝化对InGaAs/InP双异质结双极性晶体管热稳定性的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期424-428,共5页谢俊领 程伟 王元 常龙 牛斌 陈堂胜 
报道了热应力下InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)的可靠性。对钝化与未钝化器件进行了应力温度为250℃、应力时间达到1 000h的存储加速寿命试验。从Gummel曲线可以发现,未钝化器件的电流增益在48h应力时间时降低了18.3%,而钝化器件...
关键词：可靠性 热应力 存储加速寿命试验 磷化铟 双异质结双极性晶体管 
基于0.5μm InP DHBT工艺的100GHz+静态及动态分频器
《固体电子学研究与进展》2016年第4期347-,共1页程伟 张有涛 王元 牛斌 陆海燕 常龙 谢俊领 
针对超高速数模混合电路方面的应用,南京电子器件研究所开发了76.2 mm(3英寸)0.5μm InP DHBT工艺,器件截止频率达到500 GHz以上,可实现3层布线,工艺剖面图及器件性能如图1所示。采用该工艺研制出114 GHz静态分频器以及170 GHz动态分频...
关键词：分频器 HZ INP DHBT 数模混合电路 器件性能 截止频率 
用于超高速数字集成电路的0.5um InP/InGaAs双异质结晶体管被引量：2
《红外与毫米波学报》2016年第3期263-266,共4页牛斌 程伟 张有涛 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 
supported by National Natural Science Foundation of China(61474101,61504125)
报道了用于超高速数字集成电路的0.5μm发射级线宽的InP/InGaAs DBHT器件,及其100 GHz的静态分频器,其工作频率达到国内领先.并详细分析了器件CB结电容对影响高速数字应用的影响,其中Ccb/Ic达到0.4 ps/V,揭示其静态分频器具有工作在150 ...
关键词：磷化铟 双异质结晶体管 静态分频器 
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