单片集成电路

作品数：648被引量：789H指数：11
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太赫兹科学与电子信息学报
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1339-1355,共17页薛欣童 李战峰 张海涛 郝晓林 梁士雄 
太赫兹波在电磁波谱中处于独特位置,具有高频率、高带宽和高穿透性等特点,在通信、雷达、成像、传感、安检等领域具有广泛的应用前景。倍频器和混频器等变频器件是固态太赫兹系统的关键组成部分。肖特基二极管具有寄生参数低,工艺简单,...
关键词：肖特基二极管 化合物半导体 倍频器 混频器 太赫兹 单片集成电路 
有源相控阵雷达超宽带高精度延时组件的设计
《电子制作》2024年第24期6-10,共5页赵建博 赵宇 张帅 
本文介绍了一种超宽带(2~12GHz)小而轻的四通道延时组件的设计和实现。该组件集成5位延时MMIC芯片以及收发增益补偿。组件尺寸为88×25×10mm^(3),重量55g。根据测试结果,延时组件接收增益为-2.5dB±2.5dB,发射功率为12dBm±2dBm,延时...
关键词：毫米波 延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路(MMIC) 
宽带毫米波系列延时器芯片设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期1277-1282,1311,共7页陈月盈 刘会东 杨柳 赵子润 
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需...
关键词：毫米波 数控延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路 
截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
《固体电子学研究与进展》2024年第5期384-389,F0002,共7页代鲲鹏 纪东峰 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3609600)。
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD...
关键词：GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线 
基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期390-395,共6页张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 
固态微波器件与电路全国重点实验室基金开放课题项目(61428032204)。
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,...
关键词：太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管 
一种4 GHz瞬时带宽的6~18 GHz超宽带T/R组件设计被引量：1
《电子科技》2024年第8期97-102,共6页王洁 武华锋 李宁 廖原 周生华 
陕西自然科学基础研究计划(404219697078)。
针对现代电子对抗设备的大瞬时带宽要求,文中设计了一种瞬时带宽4 GHz的6~18 GHz超宽带T/R组件。采用砖块式多芯片组件(Multi-Chip Module,MCM)和超宽带信号传输等技术实现了T/R组件高集成、小型化和模块化的要求。对T/R组件组成构架、...
关键词：T/R组件 超宽带 6~18 GHz 延时 多芯片组件 微波单片集成电路 
太赫兹片上集成天线过渡
《微波学报》2024年第S1期175-177,共3页杜泽 李虎 段植与 王怀北 詹铭周 
国家自然科学基金(62071089)
本研究提出了一种太赫兹(THz)波段低损耗、低成本片上集成天线过渡模型。基于具有较高电阻率的磷化铟(InP)材料,选择半波偶极子结构设计集成天线,并采用E面被打开的矩形波导设计狭缝宽1.07mm的过渡结构。测试结果表明,背靠背片上集成偶...
关键词：太赫兹 片上集成天线 太赫兹单片集成电路 磷化铟 
太空设备用单片集成电路筛选方案研究
《现代电子技术》2024年第10期101-106,共6页武荣荣 任翔 曹阳 庞明奇 刘净月 
随着太空研究进程不断加速,空天优势已经成为现代竞争中取胜的重要环节。如果偶然失效或者有质量隐患的元器件上装应用,会导致太空设备整机早期故障率大大增加。装备对太空设备用元器件的质量与可靠性提出了战略需求。文中基于太空设备...
关键词：太空设备 单片集成电路 元器件 可靠性评价 FMEA技术 温度传感器 
7~13 GHz宽带高效率驱动放大器设计
《现代信息科技》2024年第5期73-76,80,共5页豆兴昆 李彬 谭小媛 蒋乐 叶坤 
基于0.25μm GaAs PHEMT工艺设计了一款7~13 GHz微波单片高效率驱动放大器。芯片采用两级级联拓扑结构,在输入级引入共源并联负反馈结构拓宽工作带宽,同时为兼顾输出功率和效率,在输出级引入等效RC模型拟合输出管芯的最优阻抗。基于等...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路 驱动放大器 功率附加效率 并联负反馈 阻抗匹配 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
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