陈月盈

作品数:6被引量:4H指数:2
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供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:微波单片集成电路延时器砷化镓超宽带幅相控制更多>>
发文领域:电子电信电气工程更多>>
发文期刊:《微波学报》《半导体技术》《太赫兹科学与电子信息学报》《中国新技术新产品》更多>>
所获基金:国家自然科学基金更多>>
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高精确度大比特位延时器芯片研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期340-345,359,共7页陈月盈 刘帅 杨柳 赵子润 
基于GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D pHEMT)工艺,研制了一款0.5~6 GHz三位可调1400 ps数控延时器芯片。芯片尺寸为3.60 mm×4.00 mm×0.07 mm,集成了3位数控延时器和3 bit并口驱动电路。在0.5~6 GHz范围内,该数控延时...
关键词:宽带 大延时量 砷化镓 高精确度 微波单片集成电路(MMIC) 
宽带毫米波系列延时器芯片设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期1277-1282,1311,共7页陈月盈 刘会东 杨柳 赵子润 
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需...
关键词:毫米波 数控延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路 
GaAs PHEMT超宽带六位数控延时器芯片被引量:2
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第5期926-929,共4页陈月盈 方圆 李富强 
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理,基于GaAs PHEMT工艺,设计了一款超宽带数控延时器芯片,该芯片具有超宽带、大延时量和小尺寸等优点,主要用于有源相控阵雷达中。微波在片测试系统对该6位延时器芯片实际测试结果显示,在3~17GHz范围...
关键词:延时器 砷化镓 超宽带 微波单片集成电路 
超宽带延时幅相控制多功能芯片的设计被引量:2
《微波学报》2018年第1期84-88,共5页陈月盈 朱思成 赵子润 
国家自然科学基金(60671057)
针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器(10 ps步进TTD)、5位数控衰减器(1 d B步进ATT)、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs ...
关键词:超宽带 砷化镓单片集成电路 多功能芯片 实时延时器 数控衰减器 
K波段幅相控制多功能MMIC的设计与实现
《中国新技术新产品》2017年第16期21-23,共3页张超 陈月盈 
基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC。该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能。测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩...
关键词:增强/耗尽型pHEMT 幅相控制多功能 数控移相器 单刀双掷开关 数控衰减器 
小型化封装的四通道多功能电路
《半导体技术》2015年第7期489-493,共5页贾玉伟 陈月盈 刘如青 王子青 
基于GaAsE/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路。该多功能电路集成了通道选择、6bit移相和4bit衰减等功能,由低噪声放大器(LNA)芯片、功...
关键词:小型化封装 多功能电路 多层陶瓷管壳 四通道 功分开关 移相器 衰减器 
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