数控衰减器

作品数：67被引量：108H指数：6
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面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器
《电子与信息学报》2025年第2期344-352,共9页罗将 张文柱 程强 
国家重点研发计划(2023YFB3811503);浙江省自然科学基金(LQ23F040009);毫米波国家重点实验室(K202316)。
近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95...
关键词：SiGe BiCMOS W波段 衰减器 交叉耦合宽带耦合器 超表面 
高精度可变增益放大器的研究与设计
《固体电子学研究与进展》2023年第5期430-435,共6页吴奕蓬 黄晴 杜琳 王涛 陈仲谋 徐建辉 张博 
陕西省重点研发计划资助项目(2018ZDXM-GY-010,2017ZDXM-GY-004,2016KTCQ01-08);西安市集成电路重大专项资助项目(201809174CY3JC16);陕西省创新人才推进计划-科技创新团队资助项目(2020TD-019);陕西省教育厅重点科学研究资助项目(20JY059)。
为了实现可变增益放大器高精度及大动态范围的优势,基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计了一款工作在0.1~4.0 GHz并行控制的可变增益放大器。放大器由数控衰减器和射频放大器组成。数控衰减单元采用桥T型结构和电平转换电路来实现;正压控...
关键词：可变增益放大器 数控衰减器 正电压控制 高衰减精度 
高精度、低附加相移数控衰减器设计
《通信电源技术》2023年第19期4-6,共3页张磊 
采用0.13μm双极的互补金属氧化物半导体(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计了一款高精度、低附加相移的6位数控衰减器。电路采用6个基本衰减单元级联组合的方式,通过控制各衰减单元的工作状态,实现64...
关键词：衰减器 高精度 低附加相移 相控阵系统 
一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第4期353-358,共6页孙俊峰 姜理利 刘水平 郁元卫 朱健 黎明 陈章余 
设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触...
关键词：数控衰减器 晶圆级封装 RF MEMS MEMS开关 
一种L波段的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器
《中国集成电路》2023年第7期53-56,71,共5页王楠 杨格亮 陈超 
本文设计了一种集成了电平转换驱动电路的DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数控衰减器。分析了两种传统的开关型的T型和∏型衰减器的拓扑结构[1],通过对传统T型和∏型衰减器架构的改进,实现在DC~2GHz的高精度低附加相移的2位MMIC数...
关键词：衰减器 相控阵 GaAs 高精度 低附加相移 电平转换 
GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC
《现代信息科技》2023年第11期61-63,68,共4页丁红沙 
基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在2...
关键词：GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 毫米波 双路数控衰减器 
(10~20)GHz低附加相移数控衰减器设计
《电子产品世界》2023年第5期68-70,81,共4页万开奇 喻阳 顾世玲 
基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成,衰减范围为(0~31.5)dB,步进为0.5 dB。在(10~20)GHz工作频率范围内,衰减器插损小于4.8 dB,所有衰减状态衰减精度不大...
关键词：高精度 低附加相移 数控衰减器 
GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述被引量：4
《固体电子学研究与进展》2023年第2期121-135,共15页彭龙新 邹文静 孔令峥 张占龙 
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给...
关键词：砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路 
幅度校准功能的低附加相移数控衰减器
《电子技术应用》2023年第2期26-31,共6页李想 
提出了一种可用于Ka波段相控阵系统的高精度低附加相移五位数控衰减器(Digital Controlled Attenuator,DCA)。该DCA采用了嵌入式开关的T型、简化T型和Π型三种衰减结构设计基本衰减单元,实现了15.5 dB的衰减动态范围和0.5 dB的最小衰减...
关键词：数控衰减器 幅度校准 低幅度误差 低附加相移 
10~26GHz CMOS六位数控衰减器设计与实现
《计算机测量与控制》2023年第1期276-281,300,共7页雒寒阳 李斌 陈卫东 
为了使衰减器更好的适应相控阵系统对高集成度波束赋形电路的应用需求;基于55 nm CMOS工艺,设计了一款具有低插入损耗、低附加相移特性的六位数控衰减器,该数控衰减器采用桥T和π型衰减结构级联而成,在10~26 GHz频率范围内实现步进为0.5...
关键词：集成电路技术 数控衰减器 CMOS NOMS开关 附加相移 
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