(10~20)GHz低附加相移数控衰减器设计  

A design of 10~20 GHz digital attenuator with low phase variations

作　　者：万开奇 喻阳 顾世玲 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

出　　处：《电子产品世界》2023年第5期68-70,81,共4页Electronic Engineering & Product World

摘　　要：基于GaAs 0.25μm pHEMT工艺,设计一款高精度、低附加相移数控衰减器。该低附加相移数控衰减器由6位衰减单元级联组成,衰减范围为(0~31.5)dB,步进为0.5 dB。在(10~20)GHz工作频率范围内,衰减器插损小于4.8 dB,所有衰减状态衰减精度不大于±0.5 dB、附加相移不大于±3°,输入驻波系数不大于1.4,输出驻波系数不大于1.5。

关 键 词：高精度 低附加相移 数控衰减器 

分 类 号：TN715[电子电信—电路与系统]