多功能芯片

作品数：70被引量：99H指数：6
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卫星互联网用Ka波段开关功率芯片
《微纳电子技术》2025年第3期53-59,共7页曲韩宾 崔朝探 芦雪 王宇行 杜鹏搏 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一种高集成、高效率、小尺寸的Ka波段单通道多功能芯片。芯片内部集成单刀双掷开关和功率放大器单元。开关单元采用1/4波长线并联一指开关管结构,以降低插入损耗;功率放大器采用...
关键词：GAAS 多功能芯片 高集成 高效率 级联设计 
一种T/R多功能芯片评估系统中的数字设计
《电子与封装》2024年第12期7-13,共7页蒲璞 黄成 刘一杉 戴志坚 
T/R多功能芯片是相控阵雷达中的关键元器件,包含射频、数字以及驱动等电路模块,其电性能和功能评估过程极为复杂。在电性能及功能评估过程中,要求数字时序控制信号能够灵活配置,被测量电路的输入时序与其响应结果能一一对应,数字回读信...
关键词：T/R多功能芯片 USB接口 FT245RNL芯片 数字设计 方案设计 
一款基于GaAs工艺的超宽带混频多功能芯片被引量：1
《电子设计工程》2024年第16期49-53,共5页张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明 
针对无源混频器需要高本振功率驱动的问题,采用砷化镓(GaAs)0.25μm PHEMT工艺,设计了一款集成双平衡无源混频器和本振驱动放大器的超宽带混频多功能芯片。混频器由肖特基二极管堆和两个结构新颖的平面螺旋间隔互绕式补偿型marchand巴...
关键词：混频器 驱动放大器 砷化镓 超宽带 巴伦 
GaN收发多功能芯片在片集成测试优化
《固体电子学研究与进展》2024年第4期315-318,共4页陈金远 余旭明 王逸铭 丛诗力 葛佳月 戴一凡 
为了解决传统开关集成测试方案中严苛的时序同步要求,根据GaN收发多功能芯片的在片电参数测试需求,采用环行器优化测试方案,减少芯片测试时序变量,提高了芯片测试程序的鲁棒性,并且利用去嵌入技术对系统的校准进行简化。通过典型器件的...
关键词：收发多功能芯片 在片集成测试 测试时序 鲁棒性 去嵌入 
基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1
《半导体技术》2024年第6期575-579,588,共6页徐伟 赵子润 刘会东 李远鹏 
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、...
关键词：双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器 
两级串并驱动有源相控阵T/R组件
《制导与引信》2024年第2期29-33,共5页苏坪 周凯 潘超群 吴啸天 程家栋 
从实际应用出发,介绍了一种有源相控阵发射/接收(T/R)组件的两级串并驱动设计方案。该设计方案中移相/衰减数据的控制包含两级串并驱动,第一级串并驱动将数据锁存后送给第二级串并驱动,第二级串并驱动再将数据锁存后用于控制组件通道收...
关键词：串并驱动 多功能芯片 相控阵T/R组件 
一款高精度宽带多功能芯片的设计
《固体电子学研究与进展》2023年第6期492-497,共6页郝张伟 汤飞鸿 李大伟 沈宏昌 靳赛赛 
基于0.15μm的GaAs pHEMT工艺,研制了一款覆盖X-Ku频段的高精度多功能芯片。该芯片集成了单刀双掷开关、驱动放大器、低噪声放大器和6位数控衰减器等功能模块。其中低噪声放大器采用电流复用技术降低功耗,并通过并联反馈进行增益补偿实...
关键词：宽带 高精度 衰减器 多功能芯片 
一种W波段硅基多通道多功能芯片
《半导体技术》2023年第11期1038-1044,共7页于双江 赵峰 郑俊平 赵宇 高艳红 谭超 
为实现W波段多通道收发芯片小型化,研究了多层硅片垂直堆叠实现的三维硅基异构集成技术。基于高精度刻蚀工艺制作掩埋芯片的槽体和腔体,利用金属化通孔和上、下金属层实现了集成波导传输结构和滤波结构,结合金属化通孔的紧密分布实现了...
关键词：W波段 小型化 三维集成 多通道收发 多功能芯片 
Ku波段镜像抑制混频多功能MMIC芯片设计
《通信电源技术》2023年第12期21-23,共3页屈晓敏 段磊 郭跃伟 于长江 
设计了一款12~16 GHz低噪声、高镜频抑制下变频混频多功能单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)芯片,电路基于先进化合物半导体工艺制成,集本振驱动放大器、低噪声放大器及正交双平衡混频器于一体,射频(Radi...
关键词：下变频混频 多功能芯片 单片微波集成电路(MMIC) 
基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计
《通信电源技术》2023年第8期74-76,80,共4页高显 戴剑 傅琦 
基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字...
关键词：收发多功能芯片 L波段 GaAs PHEMT工艺 衰减器 
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