余旭明

作品数：19被引量：36H指数：4
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发文期刊：《通信电源技术》《空间电子技术》《电子技术应用》《电子学报》更多>>
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19~21 GHz GaAs高线性功率放大器MMIC
《电子技术应用》2025年第4期72-78,共7页刘晓禹 韩程浩 阮文武 郭润楠 刘伶 许鑫东 侯泽文 庄园 余旭明 陶洪琪 
基于0.15μm GaAs高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺研制了一款19~21 GHz的高线性功率放大器单片微波集成电路。高峰均比信号传输场景中,功率放大器的效率和线性度对射频前端性能具有关键影响。该放大器在功放栅极级联冷模线性化电路,以补...
关键词：自适应稳压偏置 冷模 高线性 砷化镓 
基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
《固体电子学研究与进展》2024年第5期396-400,共5页纪东峰 代鲲鹏 王维波 余旭明 
国家重点研发计划“智能传感器”重点专项项目(2023YFB3207801)。
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小...
关键词：三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术 
基于平面肖特基二极管的220GHz~330GHz分谐波混频器
《空间电子技术》2024年第4期71-76,共6页纪东峰 代鲲鹏 王维波 李俊锋 余旭明 
科技部研发项目(编号:No.23YFB3207801)。
为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结...
关键词：太赫兹 分谐波混频器 宽带 单片集成技术 肖特基二极管 
GaN收发多功能芯片在片集成测试优化
《固体电子学研究与进展》2024年第4期315-318,共4页陈金远 余旭明 王逸铭 丛诗力 葛佳月 戴一凡 
为了解决传统开关集成测试方案中严苛的时序同步要求,根据GaN收发多功能芯片的在片电参数测试需求,采用环行器优化测试方案,减少芯片测试时序变量,提高了芯片测试程序的鲁棒性,并且利用去嵌入技术对系统的校准进行简化。通过典型器件的...
关键词：收发多功能芯片 在片集成测试 测试时序 鲁棒性 去嵌入 
星载高可靠性Ku波段GaN功率放大器芯片被引量：1
《固体电子学研究与进展》2023年第1期16-20,共5页肖玮 金辉 余旭明 陶洪琪 
基于星载高可靠性的应用背景,采用0.20μm GaN HEMT工艺研制了一款12 V工作电压的Ku频段功率放大器芯片。利用电热结合的分析方法,确定了管芯结构及工作电压。基于Load-pull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗,设计了一...
关键词：GAN KU波段 功率放大器 高可靠性 低压稳定 
一体化匹配网络的Q波段Doherty功率放大器MMIC设计
《固体电子学研究与进展》2023年第1期21-26,共6页彭晨睿 郭润楠 陶洪琪 余旭明 
国家重点研发计划资助项目(2019YFB2203703)。
提出了一种毫米波Doherty放大器一体化匹配网络的设计方法。该匹配网络将功率合成、阻抗变换和相位调节功能一体化,结合兰格耦合器,去除了传统Doherty功放结构中输出和输入四分之一波长线。采用0.15μm GaN工艺研制了一款Doherty放大器M...
关键词：DOHERTY功率放大器 单片微波集成电路 氮化镓 负载调制 
X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC
《通信电源技术》2022年第9期13-15,共3页李文龙 陶洪琪 余旭明 
基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出...
关键词：GAN X波段 功率放大器 高效率 
C波段75W GaN HEMT高效率功率放大器MMIC被引量：1
《固体电子学研究与进展》2020年第3期164-168,190,共6页杨常林 余旭明 陶洪琪 徐波 
报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段75 W高效率功率放大器MMIC。为提高功率增益,芯片的整体拓扑结构设计为三级。在末级输出匹配电路上设计了一个高效电抗式匹配拓扑,在末级管芯输入匹配电路上运用了谐波控制技术,同时利用GaN H...
关键词：GaN功率放大器 单片微波集成电路 C波段 大功率 高效率 
13~15.5 GHz GaN 20 W高效率功率放大器芯片
《通信电源技术》2020年第9期45-48,共4页金辉 陶洪琪 余旭明 
设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中...
关键词：GAN KU波段 功率放大器 高效率 
Ku波段20W GaN功率MMIC被引量：3
《固体电子学研究与进展》2017年第2期77-80,98,共5页徐波 余旭明 叶川 陶洪琪 
报道了一款采用三级放大结构的Ku波段高效率GaN功率放大器芯片。放大器设计中通过电路布局优化改善功放芯片内部相位一致性,提高末级晶胞的合成效率,最终实现整个放大器功率及效率的提升。经匹配优化后放大器在14.6~17.0GHz频带内脉冲...
关键词：ALGAN/GAN GaN功率放大器 KU波段 微波单片集成电路 
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