单片集成技术

作品数：10被引量：6H指数：1
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：彭勃张照云苏伟高扬唐彬更多>>
相关机构：电子科技大学华中科技大学中国工程物理研究院电子工程研究所四川众为创通科技有限公司更多>>
相关期刊：《红外与毫米波学报》《固体电子学研究与进展》《太赫兹科学与电子信息学报》《半导体光电》更多>>
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基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
《固体电子学研究与进展》2024年第5期396-400,共5页纪东峰 代鲲鹏 王维波 余旭明 
国家重点研发计划“智能传感器”重点专项项目(2023YFB3207801)。
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小...
关键词：三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术 
基于平面肖特基二极管的220GHz~330GHz分谐波混频器
《空间电子技术》2024年第4期71-76,共6页纪东峰 代鲲鹏 王维波 李俊锋 余旭明 
科技部研发项目(编号:No.23YFB3207801)。
为了满足太赫兹仪器仪表、被动成像、高速通信等系统对宽带谐波混频器的需求,基于平面肖特基二极管在25um厚的GaAs基片上研制了工作频率可覆盖标准矩形波导WR-3.4主模工作频段(220GHz~330GHz)的太赫兹宽带分谐波混频器。文章对二极管结...
关键词：太赫兹 分谐波混频器 宽带 单片集成技术 肖特基二极管 
基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1
《电源学报》2019年第3期53-56,共4页倪金玉 孔岑 周建军 孔月婵 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402802)~~
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,...
关键词：单片集成 p-GaN帽层 增强型GaN功率电子器件 数字电路 
高性能微惯性器件单片集成技术被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第4期622-626,共5页张照云 施志贵 张慧 彭勃 
中国工程物理研究院科学技术发展基金重点课题(20111A0403017)
讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。
关键词：微机电系统 单片集成 微惯性器件 表面微机械加工 体硅微机械加工 
二合一芯片
《电气时代》2014年第5期42-44,共3页Munaf Rahimo Liutauras Storasta Chiara Corvasce Arnost Kopta 
由于整合开关器件与反并联二极管这一概念具有难以攻克的技术挑战，因此近年来这一技术仅被用于低功率组件（如IGBT和MOSFET）以及特殊应用。另外，IGCT等大面积双极型器件已经采用了单片集成技术，但其中的IGCT和二：极管需要完全分离...
关键词：二合一 单片集成技术 芯片 开关器件 IGCT IGBT 功率组件 二极管 
硅光子器件及其集成技术的研究被引量：1
《光通信技术》2012年第6期4-6,共3页蔡进 张慧娟 王成丽 陶智勇 
主要探讨了偏振分集光路、可调光衰减器、波导耦合型锗光电探测器等硅光器件的研究进展,分析了其结构及技术参数,随后探讨了VOA-PD单片集成技术以及VMUX单片集成技术两种硅基单片集成技术,指出硅光子器件的性能指标已经能满足现代光纤...
关键词：硅光器件 单片集成技术 光纤通信系统 
256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2001年第5期340-342,共3页陈四海 易新建 王宏臣 孔令彬 马宏 
国家自然科学基金 (编号 60 0 860 0 3)~~
基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微...
关键词：PtSi红外焦平面阵列 微透镜阵列 单片集成技术 标量衍射 信噪比 
硅基波导、光探测器和CMOS电路的集成被引量：1
《半导体光电》1997年第3期171-174,共4页郑显明 
对于集成光学器件和微电子电路制作，应用了驻波监控指示技术（ＳＷＡＭＩ）、局部氧化技术（ＬＯＣＯＳ）、光波导和探测器的平接、漏波，以及镜耦合技术。文章介绍了硅基光波导、光探测器和ＣＭＯＳ电路的单片集成技术。
关键词：集成光学 光波导 特性测试 单片集成技术 
HEMT－HBT单片集成技术
《半导体情报》1996年第6期6-16,54,共12页李和委 
简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。
关键词：HEMT-HBT 单片集成技术 制造工艺 
薄膜波导光隔离器和光电子单片集成技术被引量：1
《光通信技术》1994年第1期8-13,共6页何华辉 冯则坤 欧阳嘉 张颖 
叙述了Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＧ薄膜的液相外延生长，研究了这种薄膜材料的光吸收系数、法拉第旋转角、磁光优值及生长感生磁各向异性与Ｂｉ含量的关系。在此基础上，连续外延生长了作单模磁光波导的双层Ｂｉ，Ａｌ：ＹＩＣ薄膜。光纤偏振器...
关键词：薄膜 波导 光隔离器 光电子 
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