HEMT－HBT单片集成技术  

HEMT-HBT Monolithic Integration Technology

作　　者：李和委[1] 

机构地区：[1]电子部第13研究所

出　　处：《半导体情报》1996年第6期6-16,54,共12页Semiconductor Information

摘　　要：简要介绍了ＨＥＭＴ－ＨＢＴ单片集成技术，并对目前用选择ＭＢＥ和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ综合工艺制作的ＨＥＭＴ、ＨＢＴ器件和ＨＥＭＴ－ＨＢＴ，放大器性能进行了评述。This paper briefly describes the technology of HEMT-HBT monolithic integration, and reviews the performances of HEMT, HBT devices and HEMT-HBT amplifiers fabricated by selective MBE and merged HEMT-HBT process at present.

关 键 词：HEMT-HBT 单片集成技术 制造工艺 

分 类 号：TN430.5[电子电信—微电子学与固体电子学]