高性能微惯性器件单片集成技术  

Monolithic integration technology of high-performance micro-inertial devices

作　　者：张照云[1,2] 施志贵[1,2] 张慧[1,2] 彭勃[1,2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621999 [2]中国工程物理研究院超精密加工技术重点实验室,四川绵阳621999

出　　处：《太赫兹科学与电子信息学报》2014年第4期622-626,共5页Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology

基　　金：中国工程物理研究院科学技术发展基金重点课题(20111A0403017)

摘　　要：讨论了高性能微惯性器件单片集成技术。首先对单片集成MEMS技术的优势及面临的困难进行了讨论,并对目前主流的单片集成MEMS技术特点、工艺流程进行了介绍,最后,给出高性能微惯性器件单片集成技术的未来发展趋势。The-monolithic-integration-technology-of-high-performance-micro-inertial-device-is-presented.-Firstly,-the-advantages-and-difficulties-faced-by-the-technology-of-monolithic-integration-MEMS(Micro-Electro-Mechanical-Systems)-are-discussed.-Secondly,-the-features-and-the-process-of-the-mainstream-monolithic-integration-MEMS-technology-are-introduced.-Finally,-a-forecast-is-put-forward-on-the-future-trends-of-high-performance-micro-inertial-device.

关 键 词：微机电系统 单片集成 微惯性器件 表面微机械加工 体硅微机械加工 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]