单片集成

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高精确度大比特位延时器芯片研制
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期340-345,359,共7页陈月盈 刘帅 杨柳 赵子润 
基于GaAs衬底增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D pHEMT)工艺,研制了一款0.5~6 GHz三位可调1400 ps数控延时器芯片。芯片尺寸为3.60 mm×4.00 mm×0.07 mm,集成了3位数控延时器和3 bit并口驱动电路。在0.5~6 GHz范围内,该数控延时...
关键词：宽带 大延时量 砷化镓 高精确度 微波单片集成电路(MMIC) 
基于InP基HEMT器件的D波段倍频源设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1332-1338,1363,共8页宋树田 刘军 
传统太赫兹倍频源多采用混合集成电路的实现方式,导致太赫兹倍频源存在体积大、封装损耗高、稳定性差等问题。采用栅长2×25μm的磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件,利用先进系统设计(ADS)原理仿真和电磁仿真(EM)联合仿真...
关键词：D波段(110~170 GHz) 磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 倍频源 单片集成 太赫兹源 
太赫兹科学与电子信息学报
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第12期1339-1355,共17页薛欣童 李战峰 张海涛 郝晓林 梁士雄 
太赫兹波在电磁波谱中处于独特位置,具有高频率、高带宽和高穿透性等特点,在通信、雷达、成像、传感、安检等领域具有广泛的应用前景。倍频器和混频器等变频器件是固态太赫兹系统的关键组成部分。肖特基二极管具有寄生参数低,工艺简单,...
关键词：肖特基二极管 化合物半导体 倍频器 混频器 太赫兹 单片集成电路 
有源相控阵雷达超宽带高精度延时组件的设计
《电子制作》2024年第24期6-10,共5页赵建博 赵宇 张帅 
本文介绍了一种超宽带(2~12GHz)小而轻的四通道延时组件的设计和实现。该组件集成5位延时MMIC芯片以及收发增益补偿。组件尺寸为88×25×10mm^(3),重量55g。根据测试结果,延时组件接收增益为-2.5dB±2.5dB,发射功率为12dBm±2dBm,延时...
关键词：毫米波 延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路(MMIC) 
光耦隔离IGBT栅极驱动电路的关键技术进展与性能优化策略
《计算机产品与流通》2024年第12期43-45,共3页许昊 
近年来,学者通过不断优化光耦隔离IGBT驱动电路的设计,提出了一系列增强隔离能力和提升响应速度的技术,包括智能型高速LED驱动、单片集成光耦隔离芯片、光纤隔离技术等。这些技术除了在系统隔离、抗干扰能力等方面取得了显著进步,还在...
关键词：光耦隔离 LED驱动 系统隔离 IGBT驱动电路 单片集成 响应速度 光纤隔离 参数分析 
宽带毫米波系列延时器芯片设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第11期1277-1282,1311,共7页陈月盈 刘会东 杨柳 赵子润 
研究了数控延时器(TTD)芯片的基础原理及其在相控阵天线中的作用,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了2款宽带毫米波TTD芯片,改善宽带雷达的大扫描角度带来的波束空间指向色散问题。通过微波在片测试系统对两款系统所需...
关键词：毫米波 数控延时器 砷化镓 宽带 微波单片集成电路 
截止频率1.2 THz的GaN肖特基二极管及其三倍频单片集成电路
《固体电子学研究与进展》2024年第5期384-389,F0002,共7页代鲲鹏 纪东峰 李俊锋 李传皓 张凯 吴少兵 章军云 
国家重点研发计划资助项目(2023YFB3609600)。
通过设计不同掺杂浓度和厚度的GaN低掺杂外延层,制造了两款SiC基GaN肖特基势垒二极管(Schott⁃ky barrier diode,SBD)。结果显示在低掺杂层厚度为80 nm,掺杂浓度为8×10^(17)cm^(−3)条件下制备的GaN SBD截止频率高达1.2 THz。基于该SBD...
关键词：GaN肖特基势垒二极管 三倍频 单片集成电路 太赫兹 梁式引线 
基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第5期390-395,共6页张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 
固态微波器件与电路全国重点实验室基金开放课题项目(61428032204)。
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,...
关键词：太赫兹单片集成电路 次谐波混频器 肖特基势垒二极管 
基于GaAs肖特基二极管单片集成技术的330~400 GHz三倍频器
《固体电子学研究与进展》2024年第5期396-400,共5页纪东峰 代鲲鹏 王维波 余旭明 
国家重点研发计划“智能传感器”重点专项项目(2023YFB3207801)。
基于砷化镓肖特基二极管研制了工作频率为330~400 GHz的三倍频器。在三倍频电路中,通过将二极管管芯排布方向与信号传输方向垂直,形成了无偏置反向并联型结构,实现对偶次谐波的抑制和对奇次谐波的增强,提高了三倍频器倍频效率。为减小...
关键词：三倍频器 太赫兹 砷化镓肖特基二极管 单片集成技术 
单片集成式高响应光电探测器件设计
《半导体光电》2024年第5期687-692,共6页李明 傅婧 蒋君贤 刘戈扬 倪飘 
国家自然科学基金项目(12305311);重庆市自然科学基金项目(2024NSCQ-MSX4344).
针对光电探测单元与标准工艺兼容、单片集成与工艺技术融合难度大等问题,文章基于互补双极标准工艺设计了单片集成式高响应光电探测器件,采用光电探测器和信号处理电路单片集成方案,开展高响应光电探测单元和低延迟高速率信号处理电路...
关键词：单片集成 高响应光电探测 低延迟低漏电输出 
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