刘帅

作品数：19被引量：36H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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一种6 GHz~32 GHz超宽带GaN功率放大器芯片研究
《通讯世界》2024年第9期1-3,共3页王佳佳 边照科 刘帅 
为解决超宽带功率放大器芯片在高频段功率低、增益低的问题,基于0.15μm工艺,对一种6 GHz~32 GHz超宽带功率放大器芯片进行研究。通过采用两级非均匀分布式结构和在有源器件栅极增加电容电阻并联结构,提升电路的高频特性,最终该芯片在6 ...
关键词：超宽带 高增益 高效率 两级非均匀分布式结构 
260 GHz GaN高功率三倍频器设计
《太赫兹科学与电子信息学报》2024年第3期290-295,共6页盛百城 宋旭波 顾国栋 张立森 刘帅 万悦 魏碧华 李鹏雨 郝晓林 梁士雄 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(62201532)。
基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输...
关键词：三倍频器 太赫兹 肖特基二极管 非平衡式 倒装 
2 GHz~6 GHz宽带高效率功率放大器芯片
《通讯世界》2023年第8期181-183,共3页张斌 范悬悬 刘帅 银军 
设计一种采用4英寸0.25μm氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺、工作频率在2 GHz~6 GHz的宽带GaN单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)功率放大器芯片。设计过程...
关键词：宽带 高效率 氮化镓 连续波 
Ka波段40W功率放大器MMIC的设计和实现
《半导体技术》2023年第5期403-407,共5页王彪 王生国 刘帅 李静强 付兴中 许春良 
采用0.15μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ka波段大功率、高效率功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。电路采用三级放大结构,在输入、输出端采用Lange耦合器进行功率分配和合成,输入匹配网络加入RC稳定结构以提升电路...
关键词：功率放大器(PA) KA波段 GAN 单片微波集成电路(MMIC) 大功率 高效率 
2~18GHz超宽带GaN分布式功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2023年第2期146-150,共5页韩雷 边照科 王生国 刘帅 
介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并...
关键词：超宽带 非均匀分布式功率放大器 GAN 高效率 单片微波集成电路(MMIC) 
Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC被引量：2
《半导体技术》2022年第12期1009-1013,共5页王生国 高茂原 边照科 王彪 韩雷 刘帅 
采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率...
关键词：功率放大器(PA) 高电子迁移率晶体管(HEMT) KU波段 输出功率 场板 单片微波集成电路(MMIC) 
V波段3W GaN功率放大器MMIC被引量：3
《半导体技术》2021年第8期599-603,634,共6页刘如青 刘帅 高学邦 付兴中 
以50μm厚的SiC为衬底,基于T型栅GaN HEMT工艺技术,设计并制作了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC电路采用三级放大拓扑结构进行设计;采用高低阻抗微带传输线进行阻抗匹配和片上功率合成;采用介质电容...
关键词：V波段 氮化镓 功率放大器 单片微波集成电路(MMIC) 连续波 
温度补偿放大器研究
《通讯世界》2020年第6期215-216,共2页刘帅 
放大器增益随着温度变化剧烈,放大管的漏流随温度升高而减小,跨导随温度升高而减小,因此放大器增益随着温度升高而降低、随着温度降低而升高。而二极管随着温度上升开启电压会减小,考虑基于这一特性设计温度补偿电路。本文基于0.15μm...
关键词：温度 补偿 放大器 
基于两片式构架的Ku波段T/R组件设计被引量：1
《通讯世界》2019年第8期215-216,共2页王振亚 王磊 刘帅 刘文豹 
为了满足高性能低成本相控阵系统的需求,采用了两片式构架方案,方案上对各芯片功能进行整合,规划了两款多功能芯片,即基于功率型的前端多功能芯片以及集成幅相调控、开关、放大及驱放于一体的多功能芯片,对上述两款芯片进行了研发流片...
关键词：组件设计 KU波段 片式 构架 多功能芯片 T/R组件 工艺操作过程 批量生产 
C波段紧凑型25W GaN宽带功率放大器被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2019年第2期248-251,257,共5页刘帅 蔡道民 武继斌 
基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管(HEMT)技术,采用电抗匹配、优化电路的静态直流工作点、三级放大结构栅宽比1:3.6:16等措施,保证电路的增益和功率指标,实现了C波段高功率、高增益和高效率的宽带单片微波集成电路(...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 高功率放大器 宽带 功率附加效率 
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