王磊

作品数：10被引量：26H指数：3
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题：滤波器技术芯片滤波器薄膜体声波谐振器输入端更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>
发文期刊：《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《通讯世界》《安全与电磁兼容》更多>>
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半导体电磁防护限幅器的发展被引量：5
《安全与电磁兼容》2023年第3期17-23,共7页王磊 周彪 邓世雄 王乔楠 吕元杰 高长征 
国家重点研发计划资助项目(2022YFB3607600)。
当前电磁环境日趋复杂,超宽带、高功率等强电磁技术已经成熟,对信息化装备构成了越来越严重的威胁,限幅器的应用需求越发迫切。文章从半导体限幅器的防护原理及电路结构入手,结合电磁脉冲防护及高功率微波防护的典型应用,详细介绍了电...
关键词：电磁环境 限幅器 半导体 电磁防护 发展 
一种用于图像加速的DMA2D控制器被引量：4
《半导体技术》2022年第7期564-569,共6页王磊 王鑫 王绍权 闫维高 齐贺飞 
随着片上系统(SoC)规模的不断增大,直接内存存取(DMA)控制器的功能也越来越完善,但目前对DMA控制器用于图像处理方面的理论研究和实现方法却鲜有报道。为了提高液晶屏(LCD)图像的刷新速度并降低内核的资源占用,提出了一种用于图像数据...
关键词：直接内存存取(DMA) 先进高性能总线(AHB)协议 物理设计 片上系统(SoC) 图像加速 
小型化滤波放大器三维集成设计
《固体电子学研究与进展》2022年第3期201-206,共6页王磊 白锐 魏少伟 张韶华 
针对滤波放大器中滤波器体积大、数量多的特点,提出了一种基于三维集成技术的小型化设计方法。该方法利用球栅阵列连接,实现多个基板的三维集成互联组装。将放大电路置于下层基板,滤波器置于中间层基板,上层基板作为滤波器的屏蔽层,通...
关键词：小型化 滤波放大器 三维集成 球栅阵列 
一种基于CMOS工艺的低相噪压控振荡器的设计被引量：3
《现代信息科技》2022年第12期52-55,共4页齐贺飞 王磊 王鑫 王绍权 张梦月 
基于标准CMOS工艺,设计了一款适用于无线通信的基于标准CMOS工艺的频带压控振荡器,该芯片的中心频率2.8 GHz,芯片面积0.5×0.5 mm^(2),典型功耗为11 mA@3.3 V。测试结果表明,在0.8 V~2.5 V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为2.3...
关键词：压控振荡器 可变电容 相位噪声 
一种抗单粒子效应的加固技术研究被引量：3
《现代信息科技》2022年第6期41-45,共5页齐贺飞 王磊 王鑫 王绍权 张梦月 
针对数字波控电路在星载控制电路应用中存在的单粒子翻转效应问题,提出了一种基于DICE单元的双稳态D触发器设计改进,设计了一种能够抵御众多类型单粒子翻转效应的D触发器,并基于该D触发器,结合电路级单粒子加固技术设计了一款串并转换...
关键词：单粒子效应 抗辐照 三模冗余 
一种高线性度的单片集成电调衰减器被引量：2
《通讯世界》2020年第6期203-204,共2页白银超 刘方罡 王磊 
本文设计了一款GaAs PHEMT微波单片集成电调衰减器,该电路设计采用T型衰减器的拓扑结构,对电调衰减器的线性度进行了专门设计。针对电调衰减器的线性度进行分析,提出了一种有着更小的电阻变化率的FET管,提高了输入三阶交调截取点。采用...
关键词：砷化镓(GaAs) 微波单片集成电路(MMIC) 电调衰减器 输入三阶交调截取点(IIP3) 
基于两片式构架的Ku波段T/R组件设计被引量：1
《通讯世界》2019年第8期215-216,共2页王振亚 王磊 刘帅 刘文豹 
为了满足高性能低成本相控阵系统的需求,采用了两片式构架方案,方案上对各芯片功能进行整合,规划了两款多功能芯片,即基于功率型的前端多功能芯片以及集成幅相调控、开关、放大及驱放于一体的多功能芯片,对上述两款芯片进行了研发流片...
关键词：组件设计 KU波段 片式 构架 多功能芯片 T/R组件 工艺操作过程 批量生产 
GaAs开关FET功率特性的研究被引量：3
《半导体技术》2019年第2期110-114,共5页王磊 马伟宾 刘帅 
在GaAs单片微波集成电路(MMIC)设计中,开关场效应晶体管(FET)是研制开关、数控衰减器、数控移相器等电路的基础。基于0.15μm栅长GaAs开关FET,研究了GaAs开关FET在低频下的功率压缩特性。通过对开关FET的小信号等效电路和大信号模型的分...
关键词：砷化镓 场效应晶体管(FET) 栅极电阻 功率容量 功率压缩 
Ka波段GaAs MMIC限幅低噪声放大器的设计被引量：6
《半导体技术》2018年第12期893-897,共5页王磊 任健 刘飞飞 刘帅 
采用GaAs pin二极管和低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)集成的一片式限幅低噪声放大器(LNA)工艺,设计并制备了一款Ka波段GaAs微波单片集成电路(MMIC)限幅LNA。为了在Ka波段实现大功率和低噪声的目标,采用限幅器和LNA一体化设计...
关键词：砷化镓 微波单片集成电路(MMIC) 限幅低噪声放大器(LNA) KA波段 PIN二极管 
2～20GHz宽带单片集成双向放大器
《半导体技术》2016年第7期504-508,共5页李新霞 杨楠 王磊 
基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 双向放大器 宽带 分布式放大器 单片集成 
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