一种高线性度的单片集成电调衰减器  

作　　者：白银超[1] 刘方罡 王磊[1] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北石家庄050051

出　　处：《通讯世界》2020年第6期203-204,共2页Telecom World

摘　　要：本文设计了一款GaAs PHEMT微波单片集成电调衰减器,该电路设计采用T型衰减器的拓扑结构,对电调衰减器的线性度进行了专门设计。针对电调衰减器的线性度进行分析,提出了一种有着更小的电阻变化率的FET管,提高了输入三阶交调截取点。采用中国电科第十三研究所0.25μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,测试结果表明,在频率0.05~3 GHz内,衰减动态范围大于25 dB,输入三阶交调截取点大于30 dBm。该款微波单片集成电调衰减器设计达到了预期性能,并实现了高线性度的目标。

关 键 词：砷化镓(GaAs) 微波单片集成电路(MMIC) 电调衰减器 输入三阶交调截取点(IIP3) 

分 类 号：TN715[电子电信—电路与系统]