分布式放大器

作品数：37被引量：49H指数：4
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5~20GHz具有正斜率增益的超宽带放大器
《半导体技术》2022年第9期732-736,754,共6页蔡晓波 汪粲星 张浩 
在宽带相控阵系统中,随着频率的增加,开关、移相器、衰减器等无源元件的插入损耗随着频率增加而增大,即具有负斜率增益。无源元件的负斜率增益特性使得宽带相控阵系统的增益不平坦。针对这个问题,提出了一款5~20 GHz具有正斜率增益的超...
关键词：分布式放大器 超宽带 正斜率增益 锗硅(SiGe) 相控阵 
0.1 GHz~18 GHz单电源宽带低噪声放大器被引量：2
《现代信息科技》2022年第8期45-47,52,共4页杨楠 杨琦 刘鹏 
基于GaAs增强型pHEMT工艺,设计了一款单电源供电、工作频率覆盖0.1 GHz~18 GHz单片集成宽带低噪声放大器芯片。在同一芯片上集成分布式低噪声放大器和有源偏置电路,通过有源偏置电路为分布式放大器提供栅压实现放大器单电源供电。在片...
关键词：增强型pHEMT 单电源 宽带 分布式放大器 有源偏置 
宽带低噪声放大器的设计被引量：1
《科技创新与应用》2021年第25期79-81,共3页叶波涛 
为实现低噪音放大器带宽的有效拓宽,依照分布型放大器的基础工作理论,应用0.13μmGaAs PHEMT工艺方法,工程技术人员开发了一类宽带范围超宽的单片微波式集成低噪音放大装置。应用6级分布形式拓扑方案,逐级应用共栅共源的主要构造并且设...
关键词：分布式放大器 GaAs pHEMT工艺 超宽带 单片微波集成电路 
一种基于分布式放大器的MASK调制电路
《微电子学》2021年第2期194-197,共4页黄常华 张瑛 刘凯 马乾 
国家自然科学基金资助项目(61106021);中国博士后科学基金资助项目(2015M582541)。
基于0.18μm CMOS工艺设计了一种工作在10 GHz的八进制幅移键控调制电路。利用分布式放大器的结构特点,通过增加一组开关来改变信号传输路径,控制输出信号的振幅和相位,实现了信号的八进制幅移键控调制,有效提高了信号传输的频带利用率...
关键词：多进制调制 幅移键控 分布式放大器 
基于GaAs工艺超宽带低噪声放大器设计被引量：3
《传感器与微系统》2021年第3期84-86,92,共4页黄国皓 黄玉兰 杨小峰 
为有效扩展低噪声放大器的带宽,基于分布式放大器基本原理,使用0.15μm GaAs pHEMT工艺,研制了一种超宽带微波单片集成低噪声放大器。选用5级分布式拓扑,每级使用共源共栅结构并添加去耦电容,提高放大器增益,改善增益平坦度,拓展放大器...
关键词：分布式放大器 GaAs pHEMT工艺 超宽带 单片微波集成电路 
基于0.15μm GaN工艺的2~18 GHz两级分布式放大器被引量：4
《电子与封装》2021年第3期53-56,共4页贾洁 蔡利康 
介绍了一款2~18 GHz的宽带放大器MMIC,该MMIC利用0.15μm GaN HEMT工艺设计加工,采用两级分布式结构设计,实现了较高的整体电路增益。利用Agilent ADS仿真设计软件对整体电路的原理图和版图进行仿真优化设计。在2~18 GHz工作频率范围内...
关键词：超宽带 分布式 功率管放大器 
DC-3GHz连续波10W超宽带功率放大器设计被引量：2
《微波学报》2020年第S01期183-186,共4页倪帅 杨卅男 
利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用非均匀分布式放大电路结构,通过微波设计软件优化电路中功率器件的最佳栅宽和静态直流工作...
关键词：超宽带 GAN高电子迁移率晶体管 非均匀分布式放大器 高功率 
基于0.25μm GaN的2~12 GHz连续波10 W功率放大器
《无线电工程》2020年第5期395-399,共5页刘士奇 周云 周文硕 
针对超宽带、高功率和高效率放大器的设计和制作难点问题,设计了一种基于0.25μm GaN工艺和以SiC为衬底的高电子迁移率晶体管技术(High Electron Mobility Transistor,HEMT),实现了2~12 GHz高功率和高效率的宽带单片微波集成电路放大器...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 连续波 分布式放大器 功率附加效率 
一种基于抽头电感的分布式放大器
《微电子学》2020年第1期22-26,共5页苏曼卿 张瑛 邹晓磊 
国家自然科学基金资助项目(61106021);中国博士后科学基金资助项目(2015M582541).
采用0.18μm CMOS工艺,设计了一种基于抽头电感的四级分布式放大器。采用抽头电感,减小了片上电感的数量,减小了芯片面积,在保持良好的端口阻抗匹配特性的同时提升了分布式放大器的增益。仿真结果表明,在1.48~15.5 GHz频带范围内,增益为...
关键词：分布式放大器 抽头电感 阻抗匹配 CMOS工艺 
一种2～20 GHz超宽带高效率功率放大器被引量：1
《微电子学》2019年第1期39-43,共5页胡腾飞 林福江 叶甜春 梁晓新 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX03002007-002)
基于0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种2～20GHz的超宽带高效率功率放大器。该功率放大器采用非均匀分布式结构,可以为各级晶体管提供最佳负载阻抗。引入了漏极并联电容,以平衡输入与输出传输线的相速度,提高了输出功率和效率。在栅极...
关键词：功率放大器 超宽带 功率附加效率 分布式放大器 
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