GAN高电子迁移率晶体管

作品数：55被引量：116H指数：5
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一种L波段300W GaN脉冲功率模块
《半导体技术》2024年第6期555-560,共6页董四华 刘英坤 高永辉 秦龙 
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在电子系统中逐步得到了广泛应用。研制了一款小型化L波段300 W GaN脉冲功率模块。研发了满足高压脉冲工作条件的GaN HEMT芯片,采用负载牵引技术进行了器件大信号阻...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 负载牵引技术 高压脉冲调制 L波段 功率模块 
一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路被引量：2
《半导体技术》2024年第5期483-491,共9页王忠 秦世清 王福学 边国辉 
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 驱动电路 串扰 桥式电路 电路振荡 
Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN高电子迁移率晶体管性能的调控研究被引量：1
《山西大学学报（自然科学版）》2024年第2期369-374,共6页王进军 刘宇 徐晨昱 杨嘉伦 李梓腾 段玉博 
陕西省教育厅科研计划专项项目(18JK0103)。
为了研究Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transition,HEMT)性能的调控作用,采用Silvaco TCAD软件建立了Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN HEMT数值计算模型,通过数值计算的方法研究了Al组分对Al_(x)Ga_(1-x)...
关键词：Al_(x)Ga_(1-x)N/GaN HEMT AL组分 异质结 二维电子气 转移特性 输出特性 
具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振反激式功率变换器
《半导体技术》2024年第3期263-271,共9页王忠 曹通 王福学 边国辉 
提出了一种具有自驱动有源缓冲器的GaN基高效准谐振(QR)反激式功率变换器,以解决准谐振反激式功率变换器中开关管关断时电压过高的问题。电路以GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件为主开关管和同步整流器开关管,自驱动有源缓冲器由钳位电...
关键词：反激式变换器 电压浪涌 自驱动有源缓冲器 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) DC-DC 
氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展被引量：3
《中国电机工程学报》2023年第13期5116-5131,共16页刘斯奇 梅云辉 
国家自然科学基金项目(52177189,51922075);天津市科技计划项目(21JCJQJC00150)。
氮化镓(Ga N)作为典型的宽禁带半导体材料,具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势,封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。文中首先对比分析Si基、Si C基和Ga N基器件/模块封装的异同,随后从封装杂...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 功率器件 功率模块 封装技术 杂散电感 散热 可靠性 
L波段1500W GaN功率放大器
《半导体技术》2023年第3期218-223,共6页史强 要志宏 蒙燕强 曹欢欢 
基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻...
关键词：L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构 结温 预匹配 
一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型
《半导体技术》2022年第12期972-978,1026,共8页李静强 赵哲言 王生国 付兴中 魏碧华 
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件受制于陷阱效应,建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT),分析了标准ASM-HEMT模型在表征陷阱效应方面的不足,进而建立了新的陷阱模型电路拓扑及模型方程...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 高电子迁移率高级电路模型(ASM-HEMT) 非线性模型 陷阱效应 电流崩塌效应 
基于多谐波失真的GaN HEMT管芯非线性行为模型研究
《无线电工程》2022年第8期1490-1495,共6页黄丹 钟世昌 徐祖银 成爱强 王帅 
国家部委基金资助项目。
针对工作在大信号非线性区域内的大功率器件设计的建模需求,基于多谐波失真行为(EPHD)模型原理,采用MT2000有源时域负载牵引系统对总栅长为1.25 mm的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)管芯进行在片测试,...
关键词：非线性行为模型 GAN高电子迁移率晶体管 多谐波失真 有源负载牵引 
GaN HEMT小信号等效电路模型的关键参数提取
《传感器与微系统》2022年第8期64-67,共4页王旭 王军 
四川省教育厅资助科研项目(18ZA0502)。
为了更好地表征GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)物理特性,对GaN HEMT小信号等效电路建模及参数提取技术进行研究,提出了一种简单、直接的小信号模型参数提取方法。在传统16单元模型基础上,综合考虑GaN HEMT器件结构、本征特性,描述了一种...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 小信号等效电路 参数提取 ADS2014仿真 
GaN HEMT射频等效电路建模研究
《传感器与微系统》2022年第7期40-43,共4页李超 王军 
为了研究GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的射频特性,研究了GaN HEMT电路模型建模方法。综合分析了GaN HEMT器件的物理结构、非线性电容、陷阱效应、自热效应及噪声等特性,提出了一种GaN HEMT射频大信号等效电路模型拓扑。完成了直流及散...
关键词：GAN高电子迁移率晶体管 电路模型 参数提取 散射参数 
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