曹欢欢

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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L波段1500W GaN功率放大器
《半导体技术》2023年第3期218-223,共6页史强 要志宏 蒙燕强 曹欢欢 
基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻...
关键词：L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构 结温 预匹配 
X波段连续波150W内匹配功率放大器
《通讯世界》2021年第2期231-232,共2页曹欢欢 高长征 崔玉发 
本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。模块采用尺寸为20 mm×...
关键词：GAN X波段 连续波 高功率 高效率 内匹配功率放大器 
基于GaN工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器被引量：1
《通讯世界》2021年第1期193-194,共2页曹欢欢 高长征 崔玉发 
本文报道了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺的C波段小型化高增益载片式功率放大器。该功率放大器采用GaN功率单片集成电路工艺与微波混合集成电路工艺相结合的电路形式,采用两级放大电路拓扑,正负电源结构设计。模块采用铜-钼-铜(CMC)载...
关键词：GAN C波段 高集成度 高增益 小型化 
C波段GaN HEMT内匹配功率放大器被引量：3
《无线电工程》2017年第3期54-57,共4页徐涛 唐厚鹭 王昭笔 曹欢欢 
基于通信对功率放大器的宽带和高效率的需求,给出了一款C波段GaN HEMT内匹配功率放大器的设计过程。该器件由2个3 mm栅宽的GaN功率管芯和制作在Al_2O_3陶瓷基片上的输入输出匹配电路组成。通过调节键合丝和电容,实现了功率放大器在4.4~5...
关键词：GAN HEMT 宽带 高效率 功率放大器 
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