场板结构

作品数：21被引量：27H指数：3
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L波段1500W GaN功率放大器
《半导体技术》2023年第3期218-223,共6页史强 要志宏 蒙燕强 曹欢欢 
基于0.5μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺对GaN芯片结构进行了改进。通过优化场板参数提高击穿电压,通过优化接地孔分布方式降低管芯热阻,设计了单指栅宽1500μm、总栅宽120 mm的改进型GaN HEMT。该芯片具有高击穿电压305 V、低热阻...
关键词：L波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 场板结构 结温 预匹配 
带有肖特基漏极和场板结构的反向阻断垂直MOSFET研究
《微电子学》2023年第1期121-127,共7页李涛 冯保才 刘型志 王晓飞 赵羡龙 
国家电网科技项目(5500-201927267A-0-0-00)
提出了一种采用肖特基漏极(SD)与场板相结合、实现硅基垂直MOSFET器件反向阻断应用的技术。基于该技术,采用二维仿真提出并研究了两种新型垂直MOSFET器件,即带有垂直场板(VFP)的SD-VFP-MOS器件和带有倾斜场板(SFP)的SD-SFP-MOS器件。相...
关键词：垂直MOSFET 肖特基漏极 场板 反向阻断 
α-Ga_(2)O_(3)基SBD场板结构与电流台阶的关联研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第2期193-199,共7页盛雨 陈琳 葛雅倩 李思彦 陶志阔 
作为典型的超宽禁带半导体,氧化镓(Ga_(2)O_(3))逐渐以新型功率器件优选材料的身份成为研究热点。近年来它的亚稳态α相因具有相对最宽的带隙,且与蓝宝石、氮化镓相似的六角晶格而受到关注。研究了α-Ga_(2)O_(3)基肖特基二极管器件,在T...
关键词：α氧化镓 肖特基势垒二极管 电流-电压特性 电流台阶 
GaN HEMT微波功率器件的击穿特性研究被引量：1
《电子元器件与信息技术》2022年第8期44-47,56,共5页周国友 陆志航 葛明昌 
本文使用TCAD工具对AlGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真,在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构,并优化了场板结构,使器件的击穿电压得到了提高。本文对多重场板结构器件的相关参数进行了优化,优化后的栅场板...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 场板结构 击穿特性 TCAD 
GaN HEMT微波功率器件的热电子效应及结构优化被引量：1
《电子元器件与信息技术》2022年第7期36-40,共5页陆志航 葛明昌 周国友 
GaN HEMT微波功率器件目前在5G应用中发挥着重要的作用,但是器件热电子效应导致器件的性能退化已经成了应用中的关键影响因素。本文对AlGaN/GaN HEMT器件进行结构建模和电学特性仿真,研究了其在在不同热电子应力时间下,器件电学特性的...
关键词：氮化镓 AlGaN/GaN HEMT 热电子效应 源场板结构 
一种具有间断场板和栅下极化层的AlGaN/GaN HEMT器件
《微电子学与计算机》2021年第12期80-85,共6页李昕宇 冯全源 陈飞 文彦 黄进文 
国家自然科学基金重大项目(62090012);国家自然科学基金重点项目(62031016,61831017);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0028,2020YFG0282,2020YFG0452)。
为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结...
关键词：AlGaN/GaN HEMT 场板结构 击穿电压 极化层 
终端场板结构对GaN基肖特基势垒二极管击穿电压的影响被引量：1
《南通大学学报（自然科学版）》2021年第3期82-87,共6页朱友华 薛海峰 王美玉 李毅 
国家自然科学基金面上项目(61874168);江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015B135);江苏省产学研项目(BY2019114)。
为了提高肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)的击穿电压(breakdown voltage,BV),系统研究了终端场板结构的GaN-SBD。基于Silvaco TCAD软件,采用控制变量法即分别在不同场板长度(L_(FP))和绝缘层厚度(T_(FP))及GaN漂移区掺杂...
关键词：场板结构 氮化镓 肖特基势垒二极管 击穿电压 
场板结构对AlGaN/GaN HEMT温度场的影响被引量：1
《固体电子学研究与进展》2018年第4期244-250,共7页邵宏月 张明兰 王影影 
用Silvaco的ATLAS软件仿真研究了场板结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的温度场分布的影响,分析了场板结构影响器件温度场分布的可能因素。模拟结果表明,加入场板结构后,器件沟道二维电子气浓度减小,电场分布发生变化,器件栅极...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 场板 温度场 载流子浓度 电场分布 
采用双层栅极场板结构的LDMOS器件优化设计
《电子元件与材料》2016年第8期50-54,共5页慈朋亮 
国家科技02重大专项项目资助(No.2012ZX02502)
研究了一种N型50 V RFLDMOS器件的结构。该类型器件对击穿电压BV和导通电阻R_(DSon)等直流参数具有较高要求,一般采用具有两层场板的RESURF结构。通过Taurus TCAD仿真软件对器件最关键的两个部分即场板和N型轻掺杂漂移区进行优化设计,...
关键词：RFLDMOS 击穿电压 导通电阻 RESURF 双层场板 仿真 
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
《中国科技论文》2014年第7期739-741,共3页王硕 张炜 姚尧 张金城 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175;61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200;2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板...
关键词：氮化镓 场板结构 击穿电压 
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