姚尧

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发文主题：FET器件GAN绝缘层欧姆接触势垒更多>>
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增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
《中国科技论文》2015年第4期420-423,共4页周桂林 张金城 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项资助项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷...
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压 
场板结构对AlGaN/GaN HFET电场分布的影响
《中国科技论文》2014年第7期739-741,共3页王硕 张炜 姚尧 张金城 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175;61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200;2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)
场板结构可以有效抑制横向型HFET器件栅极边缘的电场集边效应,降低尖峰电场峰值,从而大幅提高器件的耐压特性。利用Sentaurus TCAD工具,构建具有场板结构的HFET器件,研究了场板长度和钝化层的厚度对器件沟道电场分布的影响,归纳出场板...
关键词：氮化镓 场板结构 击穿电压 
Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
《电力电子技术》2012年第12期87-89,共3页姚尧 贺致远 李佳林 刘扬 
国家自然科学基金(511777175);国家教育部博士点基金(20110171110021)~~
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为...
关键词：场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度 
具有逆向导通能力的GaN功率开关器件
《电力电子技术》2012年第12期67-68,共2页魏进 姚尧 张波 刘扬 
国家自然科学基金(511777175);教育部博士项目基金(20110171110021)~~
介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET)。通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构。RC-HFET正向...
关键词：晶体管 逆向导通 体二极管 
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