杨帆

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：中山大学电子与信息工程学院更多>>
发文主题：MOSFETGAN表面态施主2DEG更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《中国科技论文》《电源学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
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选择区域外延槽栅结构GaN常关型MOSFET的研究被引量：2
《电源学报》2016年第4期14-20,共7页杨帆 何亮 郑越 沈震 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175;61274039;61574173);国家高技术研究发展计划资助项目(863计划)(2014AA032606);广东省科技计划资助项目(2014B050505009;2015B010132007);广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011);广州市科技计划资助项目(201508010048);集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目(IOSKL2014KF17)~~
高性能GaN常关型功率开关器件的实现是目前研究的热点。槽栅结构GaN常关型MOSFET以其栅压摆幅冗余度大、栅极漏电流小等优势受到广泛关注。制备槽栅结构GaN常关型MOSFET需要的刻蚀方法会在栅极沟道引入缺陷,影响器件的稳定性。首先,提...
关键词：AlGaN/GaN异质结构 常关型 MOSFET 选择区域外延 阈值电压稳定性 
增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
《中国科技论文》2015年第4期420-423,共4页周桂林 张金城 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项资助项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷...
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压 
表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
《中国科技论文》2014年第10期1206-1208,共3页杨帆 林哲雄 张炜 张金城 王硕 贺致远 倪毅强 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布...
关键词：半导体物理学 施主表面态 AlGaN厚度 表面态电离 模拟 
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