周桂林

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供职机构：中山大学更多>>
发文主题：GANSI衬底层状结构肖特基势垒二极管肖特基势垒更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国科技论文》更多>>
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增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究
《中国科技论文》2015年第4期420-423,共4页周桂林 张金城 沈震 杨帆 姚尧 钟健 郑越 张佰君 敖金平 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项资助项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606)
采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术,制备了增强型Si衬底SiO2/GaN MOS栅场效应晶体管(MOSFET)。SiO2/GaN MOSFET转移特性曲线测试中出现阈值电压不稳定现象,针对其阈值电压稳定性问题,采用正向电压偏置方法对SiO2/GaN MOSFET的绝缘栅电荷...
关键词：氮化镓 二氧化硅 场效应管 等离子增强化学气相沉积 陷阱 正向偏压 
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