贺致远

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供职机构：中山大学更多>>
发文主题：GANSI衬底欧姆接触ALGAN/GAN功率型更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《中国科技论文》《电力电子技术》更多>>
所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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表面态对AlGaN／GaN异质结构2DEG影响的模拟分析
《中国科技论文》2014年第10期1206-1208,共3页杨帆 林哲雄 张炜 张金城 王硕 贺致远 倪毅强 刘扬 
国家自然科学基金资助项目(51177175,61274039);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB923200,2011CB301903);高等学校博士学科点专项科研基金资助项目(20110171110021);国家国际科技合作专项项目(2012DFG52260);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A101)
利用模拟软件研究施主表面态特性与AlGaN/GaN异质结构中二维电子气(2dimensional electron gas,2DEG)形成之间的关系,分析施主表面态电离过程以及表面态能级位置、表面态密度的影响。结果表明:施主表面态为2DEG的电子来源;AlGaN能带分布...
关键词：半导体物理学 施主表面态 AlGaN厚度 表面态电离 模拟 
Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
《电力电子技术》2012年第12期87-89,共3页姚尧 贺致远 李佳林 刘扬 
国家自然科学基金(511777175);国家教育部博士点基金(20110171110021)~~
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为...
关键词：场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度 
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