Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制  

Fabrication of AlGaN/GaN Power Switching Field Effect Transistors on Si Substrate

作　　者：姚尧[1] 贺致远[1] 李佳林[1] 刘扬[1] 

机构地区：[1]中山大学,物理科学与工程技术学院,广东广州510275

出　　处：《电力电子技术》2012年第12期87-89,共3页Power Electronics

基　　金：国家自然科学基金(511777175);国家教育部博士点基金(20110171110021)~~

摘　　要：研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为0.4Ω(比导通电阻8.29 mΩ·cm^2)。The influences of device dimensions of AlGaN/GaN heterostrucutre field effect transistos on device perfor- mances are discussed.These device dimensions include source（drain） length, gate width（WG） and thickness of Ohmic electrodes.Based on these, an AlGaN/GaN heterostructure power switching field effect transistor on 2 inch Si substrate with WG of 40 mm is fabricated successfully.The on resistance is 0.4 Ω （ specific on resistance is 8.29 mlΩ·cm2）, and the output current is nearly 20 A.

关 键 词：场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]