栅宽

作品数：10被引量：6H指数：2
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AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
《大连理工大学学报》2025年第1期105-110,共6页吴淇暄 张贺秋 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042,DUT19RC(3)074,DUT19LK45);大连市科技创新基金资助项目(2023JJ12GX013)。
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了...
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽 
日本富士通公司采用AlGaN间隔层和InAlGaN阻挡层将GaN HEMT的输出功率提高到19.9W/mm栅宽
《半导体信息》2018年第4期6-7,共2页
近日，日本富士通有限公司和富士通实验室有限公司宣布，他们在氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中开发出一种可以增加电流和电压的晶体结构，有效地将微波频带中发射器用晶体管的输出功率增加三倍。
关键词：日本富士通公司 输出功率 高电子迁移率晶体管 阻挡层 间隔层 栅宽 晶体结构 实验室 
GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换(续)被引量：3
《半导体技术》2014年第2期81-87,共7页赵正平 
2．3大栅宽器件 大栅宽常关GaN功率开关器件的发展是走向工程应用，2009年报道了栅宽为20mm的5A／1100V常关GaN功率开关器件在升压变换器中的应用旧引，器件特点是，栅下F等离子处理工艺和栅极与源极的双场板结构。
关键词：功率开关器件 GAN 功率变换 微尺度 升压变换器 等离子处理 场板结构 栅宽 
Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
《电力电子技术》2012年第12期87-89,共3页姚尧 贺致远 李佳林 刘扬 
国家自然科学基金(511777175);国家教育部博士点基金(20110171110021)~~
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为...
关键词：场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度 
大栅宽功率器件的分布性研究
《微纳电子技术》2010年第8期513-517,共5页方家兴 胡志富 蔡树军 
随着器件工作频率的升高,以集总元件模型描述大栅宽功率器件引入的误差将越来越大,且这一趋势随着栅长的减小更加显著。对微波大栅宽功率器件的分布性作了初步研究,对传统建模和器件优化方法进行改进,将器件中的有源部分和无源部分分离...
关键词：微波功率FET 大栅宽器件 非线性模型 分布性 传输线理论 
X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究被引量：3
《半导体技术》2009年第11期1082-1084,共3页顾卫东 张志国 
利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研...
关键词：ALGAN/GAN HEMT 大栅宽 高电压 高输出功率 
名词术语释义——第一代纳米芯片
《微纳电子技术》2005年第7期335-335,共1页
2000年，半导体行业开始悄无声息地开始生产“纳米芯片”，这是器件线宽小于100nm的芯片，也就是用栅宽小于100nm的晶体管设计出的电路芯片，由此标志着第一代纳米芯片的诞生，现在市面上集成电路的栅宽都不足50nm，在今天普通台式电脑...
关键词：纳米芯片 第一代 术语释义 名词 2000年 半导体行业 晶体管设计 电路芯片 集成电路 台式电脑 器件 栅宽 线宽 栅极 
GaAs MESFET开关的设计和建模
《河北工业大学学报》2003年第2期52-57,共6页申华军 杨瑞霞 高学邦 王同祥 
天津市自然科学基金项目资助(023601411);河北省自然科学基金项目资助(601048)
简要分析了MESFET开关的等效电路模型和MESFET开关器件的设计考虑,以及材料参数和器件结构对开关性能的影响,并设计制作了6组不同栅宽的MESFET开关.应用Modeling建模软件,分别对6组不同栅宽的MESFET开关进行建模,提取出开关的等效电路...
关键词：MESFET开关 设计考虑 建模 栅宽 定标 
影响HEMT高频特性的因素分析
《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》2000年第4期276-279,共4页龚仁喜 孟小碧 
在已建立模型的基础上 ,分析了 Al Ga As/Ga As HEMT的几个重要参数 (栅长、栅宽、掺杂Al Ga As层的厚度、未掺杂 Al Ga As层的厚度、Al Ga As层掺杂浓度、栅压、漏压 )
关键词：HEMT 高频特性 高电子迁移率晶体管 影响因素 栅长 漏压 栅宽 栅压 
C波段大栅宽GaAs MESFET的研制
《半导体情报》2000年第5期52-54,共3页李云 李岚 关富民 宋力波 高健 卜瑞艳 丁奎章 
采用高质量的 MBE材料 ,成功地制作了单胞栅宽 2 0 mm的芯片。用栅与 n+凹槽自对准和辅助侧墙工艺制作了栅长 0 .45 μm的 Ti Pt Au栅 ,欧姆接触采用 Au Ge Ni合金工艺 ,采用 PECVD Si N钝化 ,空气桥结构及芯片减薄 Via-Hole工艺。经内...
关键词：MESFET C波段 砷化镓 
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