T型栅

作品数：25被引量：15H指数：2
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T型栅PMOS器件跨导双峰效应的研究
《集成电路与嵌入式系统》2025年第3期54-58,共5页彭宏伟 赵小寒 陈祎纯 陈睿凌 王青松 徐大为 
T型栅PMOS器件因其强抗辐照能力、低寄生电容,逐渐成为RFSOI电路中必不可少的器件。而跨导是MOS器件中的一个关键参数,但T型栅PMOS器件的跨导会在栅极电压增大时出现双峰效应,影响电路研制的判断。本文首先结合实测数据和3D TCAD仿真结...
关键词：T型栅PMOS 跨导双峰效应 SOI TCAD 
采用T型栅结构的高性能Ga2O3 MOSFET
《半导体技术》2020年第6期444-448,共5页马灵 吕元杰 刘宏宇 蔡树军 冯志红 
河北省优秀青年基金项目(F2019516004)。
基于n型β-Ga2O3制备了具有T型栅结构的高性能Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Fe掺杂的半绝缘β-Ga2O3衬底上同质外延生长200 nm厚的Si掺杂n型β-Ga2O3沟道层,掺杂浓度为5×10^17 cm^-...
关键词：氧化镓(Ga2O3) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) T型栅 击穿电压 功率品质因子 
电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第1期17-20,37,共5页曾建平 安宁 李志强 李倩 唐海林 刘海涛 梁毅 
国家自然科学基金-面上资助项目(61474102)
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅...
关键词：T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率 
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
《固体电子学研究与进展》2018年第1期36-39,44,共5页江丽红 杨扬 霍帅 曹正义 孔月婵 
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触...
关键词：碳纳米管 射频晶体管 石墨烯辅助导电层 T型栅 
超薄势垒InAlN/GaN HFET器件高频特性分析被引量：1
《半导体技术》2017年第7期511-515,530,共6页田秀伟 吕元杰 宋旭波 房玉龙 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(61306113;61674130)
采用二次外延重掺杂n^+GaN实现非合金欧姆接触,并通过优化干法刻蚀和金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延工艺,有效降低了欧姆接触电阻。将非合金欧姆接触工艺应用于InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFET)器件制备,器件的有效源漏间距缩小至60...
关键词：InAlN/GaN 纳米T型栅 非合金欧姆接触 电流增益截止频率 最大振荡频率 
用248nm光刻机制作150nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估
《电子与封装》2016年第8期44-48,共5页郭啸 章军云 林罡 
介绍了基于光刻机的150 nm T型栅Ga As PHEMT工艺,其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm Ga As工艺线上进行流片,并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验,获...
关键词：砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 可靠性 T型栅 
最大振荡频率640 GHz的70nm栅长InAs PHEMTs器件(英文)被引量：1
《红外与激光工程》2016年第7期161-165,共5页张立森 邢东 徐鹏 梁士雄 王俊龙 王元刚 杨大宝 冯志红 
由于高的电子迁移率和二维电子气浓度,InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率,采用InAs复合沟道,使得二维电子气的电子迁移率达到13 000 cm^2/(V·s)。成功研制出70...
关键词：InAs沟道 高电子迁移率晶体管 T型栅 最大振荡频率 
90nm T型栅工艺在高频GaAs PHEMT MMIC中的应用被引量：2
《半导体技术》2015年第8期611-615,共5页孙希国 刘如青 刘永强 崔玉兴 付兴昌 
采用PMMA/P（MMA-MAA）/PMMA三层胶结构,通过优化电子束直写电压、束流和显影等工艺参数,得到了理想的光刻胶形貌。利用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方法实现了双凹槽栅结构。通过优化蒸发功率、蒸发时间及各层金属厚度,解决了栅掉帽的...
关键词：90 nm T型栅 电子束直写 双凹槽结构 三层胶结构 GAAS PHEMT 
0.25μm高精度T型栅制作工艺研究
《电子工艺技术》2015年第4期222-224,共3页孙希国 崔玉兴 付兴昌 
基于双层胶i线光刻工艺,对0.25μm T型栅制作技术进行了优化,采用Relacs工艺处理方法缩短了栅长,满足了栅长精度要求,通过工艺优化解决了双层胶之间不同胶层间的互溶问题。通过优化制作流程,形成了工艺规范,解决了工艺中存在的一致性及...
关键词：双层胶 i线 Relacs工艺 光刻 T型栅 
漏源间距对AlGaN/GaN HEMT器件特性的影响
《半导体技术》2015年第1期19-23,共5页马灵 吕元杰 王丽 宋旭波 顾国栋 谭鑫 郭红雨 
国家自然科学基金资助项目(61306113);中国科学院纳米器件与应用重点实验室开放课题项目(13JZ04)
采用相同的欧姆接触,栅长为100 nm的T型栅以及50 nm的氮化硅(Si N)表面钝化等器件工艺,制备了漏源间距分别为2和3μm的AlGaN/Ga N高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)。研究发现,当漏源间距从2μm增加至3μm后,器件的直流特性略有下降,如在...
关键词：ALGAN/GAN 漏源间距 T型栅 射频特性 击穿电压 
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