赝配高电子迁移率晶体管

作品数：91被引量：169H指数：7
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片被引量：1
《半导体技术》2024年第6期575-579,588,共6页徐伟 赵子润 刘会东 李远鹏 
基于GaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺设计了一款14~18 GHz的双通道多功能芯片。芯片集成了单刀双掷(SPDT)开关、6 bit数控移相器、4 bit数控衰减器和增益补偿放大器。采用正压控制开关以减小控制位数;优化移相、...
关键词：双通道 多功能芯片 增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT) 单刀双掷(SPDT)开关 数控移相器 数控衰减器 
X波段平衡式限幅低噪声放大器MMIC
《半导体技术》2023年第9期805-811,共7页李远鹏 魏洪涛 刘会东 
为满足接收机的小型化需求,基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款用于8~12 GHz的平衡式限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。将Lange电桥、限幅器、LNA集成在同一衬底上,Lange电桥采用异形设计,芯片比传统尺...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 限幅器 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 负反馈 
2~6GHz高性能开关滤波器组MMIC
《半导体技术》2023年第8期706-712,共7页李远鹏 陈长友 刘会东 
基于0.25μm GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计了一款2~6 GHz开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。片上集成了8路带通滤波器、输入、输出单刀八掷(SP8T)开关、3-8译码器和驱动器。通过输入、输出SP8T开关进行通道选...
关键词：赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 带通滤波器 低通滤波器 单刀八掷(SP8T)开关 3-8译码器 驱动器 
GaAs毫米波双路数控衰减器MMIC
《现代信息科技》2023年第11期61-63,68,共4页丁红沙 
基于GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款毫米波双路数控衰减器。芯片上集成了两个4位数控衰减器、一分二功分器和8位数字驱动器。重点介绍了射频电路数控衰减器和功分器的拓扑结构设计。该芯片测试结果显示在2...
关键词：GaAs E/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 毫米波 双路数控衰减器 
E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC被引量：1
《现代信息科技》2023年第9期60-62,67,共4页陈长友 刘会东 崔璐 
基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款输出频率在E波段的有源六倍频器微波单片集成电路(MMIC)。片上集成六倍频器及输出驱动放大器,采用PHEMT管进行倍频,具有较高输出功率及较小的芯片尺寸。在片探针测试结果显示该倍...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 E波段 有源六倍频器 
基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器
《半导体技术》2023年第4期324-327,352,共5页王朋 韦雪真 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款22~42 GHz的宽带三通道开关滤波器芯片。该开关滤波器由单刀三掷开关、带通滤波器、控制电路构成。开关采用场效应晶体管(FET)串并结合结构实现。带通滤波器采用梳状结构,...
关键词：开关滤波器 GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺 带通滤波器 译码器 宽带 
2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
《半导体技术》2023年第3期224-230,共7页李士卿 何庆国 戴剑 
基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增...
关键词：砷化镓(GaAs) 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 共源共栅 超宽带 
基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC
《半导体技术》2023年第1期48-53,共6页王胜福 王洋 李丽 于江涛 张仕强 李宏军 
基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 超宽带 多通道滤波器 带通滤波器 开关滤波器组 单片微波集成电路(MMIC) 
17~21 GHz 6 bit高精度数字移相器的设计被引量：1
《电子与封装》2022年第12期40-45,共6页蒋乐 王坤 周宏健 周睿涛 李光超 
采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17~21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用...
关键词：数字移相器 GAAS 赝配高电子迁移率晶体管 高精度 
GaAs基PHEMT低噪声放大器的强电磁脉冲效应与机理被引量：3
《现代应用物理》2022年第3期141-149,共9页安琪 柴常春 李福星 吴涵 杨银堂 
国家自然科学基金资助项目(61974116)。
利用Sentaurus TCAD仿真工具,建立了一种基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管的共源极低噪声放大器电路模型,通过在电路输入端口注入高功率微波,讨论了器件内部峰值温度、电场强度、电流密度和碰撞电离率等物理参数的变化,分析了器件的烧毁...
关键词：GaAs赝配高电子迁移率晶体管 高功率微波 电磁脉冲 低噪声放大器 损伤效应 
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