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作 者:蒋乐 王坤 周宏健 周睿涛 李光超 JIANG Le;WANG Kun;ZHOU Hongjian;ZHOU Ruitao;LI Guangchao(China Key System&Integrated Circuit Co.,Ltd.,Wuxi 214072,China)
机构地区:[1]中科芯集成电路有限公司,江苏无锡214072
出 处:《电子与封装》2022年第12期40-45,共6页Electronics & Packaging
摘 要:采用0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17~21 GHz 6 bit高精度数字移相器。该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构。测试结果表明,在17~21 GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 dB,均方根相位误差(RMS)值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 dB和0.6 dB之间,电压驻波比(VSWR)小于1.5。A 17-21 GHz 6 bit high precision digital phase shifter is fabricated using 0.15μm GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)process.The 5.625°phase shifting units of the phase shifter use the embedded LC topology,the 11.25°and 22.5°phase shifting units use the embedded all-pass network topology,while the switch-selective multi-order high-pass and low-pass network topology is implemented in 45°,90°and 180°phase shifting units.The drive unit uses direct coupled FET logic(DCFL)structure.The test results show that in the frequency range of 17-21 GHz,the absdute value of the insertion loss of the phase shifter is less than 8.5 dB,the root-mean-square(RMS)of phase error is less than 1.8°,the phase shift parasitic amplitude is between-0.8 dB and 0.6 dB,and the voltage standing wave ratio(VSWR)is less than 1.5.
关 键 词:数字移相器 GAAS 赝配高电子迁移率晶体管 高精度
分 类 号:TN623[电子电信—电路与系统] TN454
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