唐海林

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：微机械陀螺测试装置信号接口锚点电源接口更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《太赫兹科学与电子信息学报》更多>>
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AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作
《半导体技术》2018年第5期341-346,共6页李倩 安宁 曾建平 唐海林 李志强 石向阳 谭为 
科学挑战专题资助项目(TZ2018003);国家自然科学基金青年基金资助项目(62504126);国家自然科学基金面上项目(61474102)
基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD...
关键词：横向肖特基势垒二极管(SBD) ALGAN/GAN AlGaN层厚度 空气桥 太赫兹 
电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1
《太赫兹科学与电子信息学报》2018年第1期17-20,37,共5页曾建平 安宁 李志强 李倩 唐海林 刘海涛 梁毅 
国家自然科学基金-面上资助项目(61474102)
为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅...
关键词：T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率 
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