射频晶体管

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碳纳米管射频晶体管及放大器电路研究
《固体电子学研究与进展》2025年第1期22-27,共6页赵亮 杨扬 霍帅 张勇 陆辉 汪珍胜 钟世昌 唐世军 孔月婵 陈堂胜 
基于射频电子器件级碳纳米管阵列材料,研制出具备高增益、高线性特性的射频场效应晶体管,并对其进行了S参数提取、等效电路建模及匹配电路设计,实现了单级碳纳米管射频放大器电路。该电路在9 GHz点频增益达10.9 dB,增益1 dB压缩点处三...
关键词：碳纳米管 射频 放大器 
Ampleon推出大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用
《半导体信息》2019年第1期10-10,共1页
埃赋隆半导体(Ampleon)面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用于各种工业、消费和专业烹饪射频能量应用;由于它可以通过单个SOT1250空腔...
关键词：射频能量 Ampleon 
埃赋隆半导体推出全新大功率射频晶体管
《家电科技》2019年第1期12-12,共1页
2019年1月16日,荷兰埃赋隆半导体公司正式对外发布了一款适用于专业烹饪射频能量应用领域的大功率射频晶体管新品--BLC2425M10LS500PLDMOS射频功率晶体管。
关键词：射频晶体管 半导体公司 大功率 功率晶体管 射频能量 
DMOS射频晶体管产品系列又添新成员
《半导体信息》2018年第4期16-17,共2页
坚固耐用型250WRFPA晶体管具有69％的能效，并可在所有相位上承受20：1的VSWR7月18日，Ampleon近日宣布向其适用于连续波（CW）射频能量应用的大功率LDMOS射频晶体管产品阵容中新增一款产品。
关键词：射频晶体管 LDMOS 品系 射频能量 耐用型 大功率 连续波 产品 
具有石墨烯辅助导电层的碳纳米管射频场效应晶体管
《固体电子学研究与进展》2018年第1期36-39,44,共5页江丽红 杨扬 霍帅 曹正义 孔月婵 
采用纯度高于99%的半导体型单壁碳纳米管分散液制备碳纳米管无序网络作为射频场效应晶体管的有源沟道材料,使用单层石墨烯作为器件源漏的辅助接触电极,研制出T型栅结构的碳纳米管射频场效应晶体管。采用石墨烯加强晶体管器件的欧姆接触...
关键词：碳纳米管 射频晶体管 石墨烯辅助导电层 T型栅 
1500kW射频功率晶体管
《今日电子》2016年第6期66-66,共1页
MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1．50kWCW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500MH...
关键词：功率晶体管 射频晶体管 射频放大器 晶体管数量 粒子加速器 等离子体源 高功率 激光 
恩智浦1500kW射频功率晶体管树立新标杆
《电源技术应用》2016年第5期I0004-I0004,共1页
恩智浦半导体（NXP Semiconductors N．V．）（Nasdaq：NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或存任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1．50kW CW功率，能够减少高功率射频放大器中...
关键词：功率晶体管 射频晶体管 射频放大器 标杆 晶体管数量 半导体 高功率 CW 
Qorvo针对航海和航空雷达,将塑料封装氮化镓射频晶体管扩展到X波段
《半导体信息》2015年第6期15-16,共2页科信 
Qorvo一直专注于为移动通信、基础设施、航空/国防应用提供核心技术和相关射频解决方案,近期推出了三款新型未匹配氮化镓射频晶体管。产品采用低成本QFN塑料封装技术,可在8-12GHz频率范围内运行,针对民用航海、航空和基础设施建设中的...
关键词：塑料封装 X波段 Qorvo 氮化镓 频率范围 移动通信 基础设施 于为 封装尺寸 雷达系统 
英飞凌推出具备可靠ESD保护性能的全新高能效射频晶体管
《电子制作》2010年第9期4-5,共2页
近日,英飞凌科技股份公司推出具备静电释放（ESD）保护功能的全新射频晶体管,用于提升无线通信设备设计的可靠性及灵敏度。这种新型低噪双极晶体管是目前具有最有效的ESD保护,此外它的封装还与上一代射频管兼容,这就保证其良好的升级效果。
关键词：射频晶体管 ESD保护 保护性能 能效 双极晶体管 保护功能 静电释放 股份公司 
射频晶体管3DG2714基极电阻R_(bb’)的分析与研究
《电子与封装》2010年第2期28-30,共3页吴振江 
射频晶体管具有高的特征频率fT,高的功率增益GP。为此在工程上多采用浓硼扩散形成嫁接基区。尽可能减少基极电阻Rbb’,同时采用梳状结构电极,浅结扩散,小的结面积等工艺,提高fT,从而双方面提高功率增益GP。文章以该公司生产的射频晶体管...
关键词：射频 射频晶体管 基区 基极电阻 
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