ESD保护

作品数:437被引量:198H指数:7
导出分析报告
相关领域:电子电信自动化与计算机技术更多>>
相关作者:王源张波张兴贾嵩刘志伟更多>>
相关机构:电子科技大学江南大学株式会社村田制作所北京大学更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金国防科技技术预先研究基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
基于集成电路版图技术的芯片ESD保护结构设计
《电脑知识与技术》2024年第33期106-110,共5页姚欢 
随着集成电路技术的不断发展,芯片的性能和集成度不断提升,但同时也面临着日益严峻的静电放电(ESD)挑战。ESD事件可能导致芯片损坏或失效,对电子产品的可靠性和稳定性构成严重威胁。因此,设计一种有效的芯片ESD保护结构显得尤为重要。...
关键词:ESD静电放电 芯片保护 集成电路 版图设计 Aether设计软件 
多模式应用的GPIO端口设计
《中国集成电路》2024年第9期24-29,48,共7页李航琪 陈群超 
设计实现了一种多模式应用的GPIO端口。在传统GPIO结构的基础上,该GPIO增加了双向SCR、GGNMOS、GDPMOS等特殊结构,同时对输入输出驱动结构进行改进,使得端口能够正常实现数据传输,又能具备一定的ESD保护能力。采用180nm高压工艺使得该G...
关键词:GPIO IO设计 ESD保护 施密特触发器 
静电对行李RFID识别设备影响的研究
《物联网技术》2024年第7期32-34,38,共4页朱志宇 
在干燥季节,行李RFID识别设备容易出现设备损坏、识别效果下降等现象,给行李处理系统的运行带来压力。为此,分析行李RFID识别设备的作用、行李处理系统中静电产生原因,研究静电对行李RFID识别设备造成损坏的途径和机理;通过麦克斯韦方...
关键词:RFID 静电 ESD保护二极管 热击穿失效 电荷斑 斯涅尔定律 麦克斯韦方程 边界条件 
一种压电换能器热释电防护电路设计
《压电与声光》2024年第2期253-258,263,共7页李世国 潘灿 赵德峰 母江东 李军 何知益 
重庆市技术创新与应用发展(军民融合专项(重点))手持式智能气象传感器研发与应用。
该文探讨了压电材料热释电效应产生的机理,得出压电换能器中压电陶瓷材料受温度变化会产生极化电荷,引起的热释电压会使压电换能器输出信号幅值增大,导致输出失效。因此针对热释电问题提出了两点解决方案。经过对比分析设计了一种ESD保...
关键词:压电换能器 热释电效应 信号幅值增大 ESD保护电路 改进型二极管钳位电路 
ESD保护电路在HDMI板级信号完整性中的影响分析及其布局优化研究被引量:2
《现代电子技术》2024年第8期68-74,共7页王淼 李嘉豪 汤浩 郭亚 
为了解决HDMI接入ESD保护电路后信号完整性受破坏等问题,从器件的空间布局对HDMI信号完整性影响进行研究分析,同时考虑了瞬态电压抑制(TVS)高频寄生参数的影响,搭建了ESD放电模型和TVS高频等效电路模型,并对其可靠性进行了验证。从差分...
关键词:静电放电(ESD) HDMI 信号完整性 空间布局优化 瞬态电压抑制(TVS) S参数 有限元仿真 
基于BCD工艺的LIN总线收发器设计
《固体电子学研究与进展》2024年第1期50-58,共9页杨雨辰 王志亮 孙力 谭庶欣 
江苏省科技成果转化专项资金资助项目(BA2022001);江苏省高等学校自然科学研究重大项目(22KJA510005)。
针对汽车内部复杂的控制节点与严苛的通讯环境,设计了一款抑制电磁干扰的局域互联网络(Local interconnect network, LIN)总线收发器芯片。基于90 nm BCD高压工艺,采用双向静电放电保护、分段电流驱动、共源级隔离驱动以及总线反馈技术...
关键词:LIN总线 收发器 斜率控制 BCD工艺 电磁干扰 ESD保护 
一种通信收发电路的设计及其特性分析
《集成电路应用》2023年第2期8-10,共3页居水荣 席筱颖 戈益坚 
阐述一种低功耗、高ESD性能的通信收发芯片,该芯片遵循的RS-485标准。针对该芯片的特性做出详细介绍,包括该芯片的整体功能、框图和引脚定义以及典型应用。探讨芯片特有的记性判断功能和相关电路设计,给出该芯片的ESD设计思路,包括芯片...
关键词:电路设计 RS-485发送器 接收器 极性判断 ESD保护 
一种新型的耐高压箝位ESD保护电路设计被引量:1
《北部湾大学学报》2022年第4期33-36,共4页朱兆旻 何艳梅 程宪宝 
对全芯片的静电释放(ESD)防护进行了设计与研究,提出了一种新的耐高压增强型箝位ESD芯片保护电路。该ESD保护电路由2个电阻、2个电容和3个MOS管组成,包含1个静电检测模块。仿真结果显示,此电路能完美实现ESD保护作用,可以承受5 kV的瞬...
关键词:静电释放 耐高压 保护电路 数模混合信号 
浅析耗尽型MOSFET对智能变送器中DAC的供电与保护
《传感器世界》2022年第7期31-37,共7页何锋 窦文 
具有ESD保护功能的耗尽型MOSFET代替JFET器件和普通耗尽型MOSFET,能有效抑制各种干扰,极大提高整个系统的稳定性和安全性。由于智能变送器在工业控制、物联网、轨道交通、航空航天等领域的广泛应用,特别是近年自动驾驶汽车、医疗仪器和...
关键词:智能变送器 DAC模块 供电与保护 耗尽型MOSFET ESD保护 
用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR结构被引量:1
《微电子学》2022年第3期473-477,483,共6页孙浩楠 王军超 李浩亮 杨潇楠 张英韬 
国家自然科学基金资助项目(61874099)。
基于横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的可控硅结构(LDMOS_SCR)因其较强的单位面积电流处理能力和出色的高压特性,通常用于高压下的静电防护。通过将原本浮空的漏极N+分割为对称的P+、N+和P+结构,提出了一种基于LDMOS_SCR的双向防护...
关键词:静电放电 维持电压 横向双扩散金属氧化物半导体 可控硅结构 TCAD仿真 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部