李佳林

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供职机构：中山大学更多>>
发文主题：ALGAN/GAN功率型肖特基二极管欧姆接触GAN更多>>
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所获基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
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Si衬底AlGaN／GaN功率开关场效应晶体管研制
《电力电子技术》2012年第12期87-89,共3页姚尧 贺致远 李佳林 刘扬 
国家自然科学基金(511777175);国家教育部博士点基金(20110171110021)~~
研究了Si衬底AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管(HFETs)器件尺寸参数,包括源(漏)极长度、栅宽及欧姆接触电极厚度等对器件性能的影响。基于此,在国内率先实现2英寸Si衬底上栅宽为40 mm的原型AlGaN/GaN HFETs,其输出电流约为20 A,导通电阻为...
关键词：场效应晶体管 功率开关 栅宽 欧姆接触电极厚度 
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