申华军

作品数：20被引量：36H指数：4
导出分析报告
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：碳化硅刻蚀欧姆接触INGAP/GAAS_HBT肖特基二极管更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺一般工业技术更多>>
发文期刊：《河北工业大学学报》《电子器件》《半导体技术》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：国家科技重大专项中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程重要方向项目天津市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SiO2/4H-SiC界面氮化退火被引量：1
《半导体技术》2017年第3期215-218,共4页赵艳黎 李诚瞻 陈喜明 王弋宇 申华军 
国家科技重大专项资助项目(2103ZX02305)
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数...
关键词：SiO2/4H-SiC 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率 
1200V SiC MOSFET晶体管的高温可靠性研究被引量：4
《大功率变流技术》2016年第5期62-64,70,共4页邓小川 陈茜茜 王弋宇 申华军 唐亚超 高云斌 
国家科技重大专项子课题(编号2013ZX02305-002);广东省自然科学基金(编号2015A030313875)
高温可靠性是目前限制SiC MOSFET晶体管高温应用的关键问题之一。本文介绍了基于国内碳化硅器件工艺平台研制的1 200 V SiC MOSFET器件的直流特性,并通过高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验对器件高温可靠性进行测试分析。试验结果表明...
关键词：SIC MOSFET 高温栅偏 高温反偏 可靠性 
3300V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制被引量：2
《大功率变流技术》2016年第5期46-50,共5页彭朝阳 白云 申华军 吴煜东 高云斌 刘新宇 
国家科技重大专项02专项(2013ZX02305001)
为满足轨道交通电力牵引应用对高压SiC二极管器件的需求,对4H-SiC器件有源区采用了不同JBS栅条参数设计,并通过TCAD仿真对比分析了栅条参数对器件性能的影响;器件终端结构采用经过优化的35个场限环结构设计;最后采用Ti作为肖特基金属,...
关键词：击穿电压 4H-SIC 结势垒肖特基二极管 
ICP刻蚀4H-SiC栅槽工艺研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2015年第5期570-574,共5页户金豹 邓小川 申华军 杨谦 李诚瞻 刘可安 刘新宇 
国家自然科学基金项目(No.61106080,61234006,61275042)
为避免金属掩膜易引起的微掩膜,本文采用SiO2介质作为掩膜,SF6/O2/Ar作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对4H-SiC trench MOSFET栅槽刻蚀工艺进行了研究。本文详细研究了ICP刻蚀的不同工艺参数对刻蚀速率、刻蚀选择比以及...
关键词：微掩膜 感应耦合等离子体 碳化硅 栅槽 微沟槽效应 
碳膜保护对高温激活SiC表面形貌的影响被引量：3
《电子器件》2014年第6期1030-1033,共4页李诚瞻 王弋宇 史晶晶 申华军 周正东 
国家科技重大专项
采用碳膜覆盖于SiC晶片表面,作为SiC离子注入后高温激活退火的保护层,1650℃20 min高温退火后,有碳膜保护的SiC晶片表面粗糙度RMS只有0.6 nm,无明显形貌退化。AZ5214光刻胶在不同温度条件Ar气氛围下碳化40 min,光刻胶均转变为纳米晶体...
关键词：SIC 高温激活 碳膜 表面粗糙度 
共基极与共发射极结构的InP DHBT器件功率特性
《半导体技术》2009年第8期759-762,共4页王显泰 金智 程伟 苏永波 申华军 
制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试。在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密度和相应的功率附加效率(PAE)在10GHz下为1.24W...
关键词：功率放大器 磷化铟 双异质结双极型晶体管 负载牵引 
An InGaP/GaAs HBT MIC Power Amplifier with Power Combining at the X-Band
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2098-2100,共3页陈延湖 申华军 王显泰 陈高鹏 刘新宇 袁东风 王祖强 
A MIC power amplifier with power combining based on InGaP/GaAs HBT is developed and measured for the application of the latest high power amplifier stage of the X-band. A novel InGaP/GaAs HBT power transistor with an ...
关键词：InGaP/GaAs HBT power combining MIC power amplifiers 
HBT自热效应对功率放大器偏置电路的影响及补偿被引量：2
《电子器件》2007年第3期829-832,共4页陈延湖 申华军 王显泰 葛霁 刘新宇 吴德馨 
中国科学院重大创新项目资助"新型高频;大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-107)"
研究了GaAs HBT的自热效应对功率放大器镜像电流源偏置电路性能的影响.HBT自热效应使得这种偏置电路的镜像精度和温度特性变差.利用HBT器件特有的集电极电流热电负反馈理论,通过优化基极偏置电阻的方法,对自热效应进行了有效补偿,偏置...
关键词：自热效应 HBT 镜像电流源偏置电路 功率放大器 
基于InGaP/GaAs HBT的X波段MMIC功率放大器研制
《Journal of Semiconductors》2007年第5期759-762,共4页陈延湖 申华军 王显泰 葛荠 李滨 刘新宇 吴德馨 
研制了X波段的InGaP/GaAs HBT单级MMIC功率放大器,该电路采用自行开发的GaAs HBT自对准工艺技术制作.电路偏置于AB类,小信号S参数测试在8～8·5GHz范围内,线性增益为8～9dB,输入驻波比小于2,输出驻波比小于3,优化集电极偏置后,线性增益...
关键词：HBT MMIC X波段 
发射极空气桥InGaP/GaAs HBT的DC和RF特性分析
《电子器件》2007年第1期1-4,共4页申华军 葛霁 杨威 陈延湖 王显泰 刘新宇 吴德馨 
中国科学院重大创新项目资助"新型高频;大功率化合物半导体电子器件研究(KGCX2-SW-10)"
为抑制电流增益崩塌,提高HBT的热稳定性,研制了发射极空气桥互连结构的HBT晶体管,应用ICCAP提取参数建立VBIC模型,结合模型参数对三种不同结构HBT的DC和RF特性进行比较分析.与引线爬坡互连结构相比,发射极空气桥互连结构HBT的热阻得到改...
关键词：InGaP/GaAs发射极空气桥互连 热阻 镇流电阻 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部