平带电压

作品数：15被引量：20H指数：2
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高k HfO2栅介质淀积后退火工艺研究
《半导体技术》2018年第4期285-290,共6页刘倩倩 魏淑华 杨红 张静 闫江 
国家自然科学基金资助项目(61504001);北京市自然科学基金资助项目(4162023)
研究了淀积后退火（PDA）工艺（包括退火环境和退火温度）对高介电常数（k）HfO2栅介质MOS电容（MOSCAP）电学特性的影响。通过对比O2和N2环境中,不同退火温度下的HfO2栅介质MOSCAP的C-V曲线发现,高k HfO2栅介质在N2环境中退火时具有更...
关键词：HFO2 淀积后退火(PDA) C-V特性 等效氧化层厚度 平带电压 栅极泄漏电流 
SiO2/4H-SiC界面氮化退火被引量：1
《半导体技术》2017年第3期215-218,共4页赵艳黎 李诚瞻 陈喜明 王弋宇 申华军 
国家科技重大专项资助项目(2103ZX02305)
通过1 300℃高温干氧热氧化法在n型4H-SiC外延片上生长了厚度为60 nm的SiO2栅氧化层。为了开发适合于生长低界面态密度和高沟道载流子迁移率的SiC MOSFET器件产品的栅极氧化层退火条件,研究了不同退火条件下的SiO2/SiC界面电学特性参数...
关键词：SiO2/4H-SiC 氮化退火 界面态密度 平带电压 C-V磁滞电压 迁移率 
不同氧化程度的掺硼金刚石膜电极的电化学性能及电荷转移速率研究被引量：1
《北京大学学报（自然科学版）》2016年第5期911-918,共8页于鹏 邢璇 王婷 
国家自然科学基金(51409285)资助
通过阳极电化学氧化法,制备不同氧化程度的掺硼金刚石膜(BDD)电极,并对其进行表征。分别采用循环伏安法和Mott-Schottky曲线,研究不同氧化程度的BDD电极的电化学性质和电荷转移速率。扫描电子显微镜和拉曼光谱分析表明,氧化后的BDD电极...
关键词：掺硼金刚石膜 氧化程度 电荷转移速率 平带电压 
pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究
《固体电子学研究与进展》2012年第1期10-13,共4页陈海峰 过立新 杜慧敏 
陕西省教育厅专项科研基金项目(11JK0902);西安市应用材料创新基金项目(XA-AM-201012);西安邮电学院青年教师科研基金项目(ZL2010-19)
研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的...
关键词：产生电流 衬底偏压 平带电压 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 
CCD电离辐射效应损伤机理分析被引量：13
《核电子学与探测技术》2009年第3期565-570,619,共7页王祖军 唐本奇 肖志刚 刘敏波 黄绍艳 张勇 陈伟 刘以农 
研究了CCD电离辐射引起总剂量效应和瞬态电离效应的损伤机理。分析了总剂量效应导致CCD平带电压和阈值电压漂移、表面暗电流密度增大以及饱和输出电压下降的规律和机理。研究了单粒子瞬态电离辐射导致CCD单粒子瞬态电荷产生的机理;研究...
关键词：CCD电离辐射 平带电压 表面暗电流 饱和输出电压 单粒子瞬态电荷 
X射线透视对MOS电容性能的影响
《陕西师范大学学报（自然科学版）》2005年第S1期47-48,共2页王胜林 吴鹏 李斌 
MOS电容在计算机电路中有着广泛的应用,受X射线辐射后的平带电压和阀电压的飘移,对计算机性能的稳定有着很大的影响.作者利用SOFRON-1505C型X光机,对3种MOS电容CD130,CE28,CG28受X射线后的平带电压和阀电压的飘移量进行测试和分析,从而...
关键词：X射线 MOS电容 平带电压 
电子束辐照对Poly-SiO_2/Si结构平带电压的影响
《怀化学院学报》2003年第5期32-35,共4页向少华 谢茂浓 张明高 
国家自然科学基金资助项目(编号 2 97710 2 4);怀化学院院级资助科研项目
利用剂量为 10 13 cm～ 10 16 cm- 2 ,能量为 0 .4Mev～ 1.8Mev的电子束辐照Poly -SiO2 Si结构 ,对辐照后样品进行了C -V特性曲线测试 .测试结果表明 ,高能电子束辐照Poly -SiO2 Si结构引起的MOS电容平带电压随辐照剂量、能量的增加...
关键词：原子-腔模拉曼 平带电压 聚硅烷 等离子体 四氢呋喃 抛光硅片 
6H-Sic MOS结构电特性及其辐照效应的研究被引量：4
《电子与信息学报》2003年第3期389-394,共6页尚也淳 张义门 张玉明 刘忠立 
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究。结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当幅照栅偏压为高的正电压时,电离幅照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具...
关键词：6H-SIC MOS结构 电特性 辐照效应 平带电压 退火 漏电流 
电气和电子工程用材料科学
《中国无线电电子学文摘》2003年第1期2-9,共8页
关键词：磁控溅射 金刚石薄膜 平带电压 薄膜淀积 电子工程 声表面波 溅射法 化学气相沉积 氧等离子体 镀膜技术 
金属-聚硅烷-硅结构的电容-电压特性
《物理化学学报》2003年第2期97-99,共3页彭志坚 司文捷 谢茂浓 傅鹤鉴 苗赫濯 
国家自然科学基金(29771024;59873015);国家重点基础研究发展规划(G2000067203-2)资助项目~
设计了metal-polysilane-silicon(MPS)结构.首次发现MPS结构具有电容-电压(C-V)特性,许多MPS结构的C-V曲线平带电压为正,且其C-V特性与聚硅烷枝化度一致,即随着聚硅烷枝化度提高,MPS结构C-V曲线明显向电压轴正向漂移.聚硅烷MPS结构有望...
关键词：聚硅烷 MPS结构 C-V特性曲线 平带电压 枝化度 
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