抛光硅片

作品数：20被引量：76H指数：4
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超声振动辅助固结磨粒抛光硅片表面形貌及粗糙度研究被引量：3
《振动与冲击》2018年第24期237-243,共7页付鹏 杨卫平 吴勇波 
国家自然科学基金(51065011);国家留学基金委"地方合作项目"(201208360113)
高面型精度和高表面质量的硅片表面加工是目前研究的难点和热点问题之一,基于超声加工所具有的加工效率和加工表面质量高的特性,以及固结磨粒的加工质量易控制和对环境污染小的特点,开展超声椭圆振动辅助固结磨粒抛光硅片的材料去除、...
关键词：超声振动 固结磨粒 抛光轨迹 加工机理 
硅片衬底微粗糙度对外延硅片表面颗粒的影响
《材料科学》2018年第5期530-534,共5页赵而敬 王永涛 曹孜 刘建涛 张静 郑捷 蔡丽艳 钟耕杭 韩晨华 
通过对单晶硅外延表面反应机理和表面测试分析,发现抛光片表面粗糙程度对外延后0.12 um颗粒分布有影响。表面微粗糙度Ra在0.5~0.8 nm左右,经过外延生长,硅片表面经过颗粒检测仪(SP1)检测会出现0.12 um小颗粒聚集分布,通过工艺调整改进,R...
关键词：微粗糙度 抛光硅片 外延 表面颗粒 
基于压电雾化喷涂的光刻胶涂覆工艺及其应用研究
《黑龙江科学》2017年第6期98-100,共3页翟荣安 汝长海 陈瑞华 朱军辉 
江苏省科技项目科技型企业技术创新资金项目(BC2015130);苏州市科技计划项目姑苏创新创业领军人才专项(ZXL2016035);吴江区科技领军人才计划项目
本文在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RFJ-210负性光刻胶为研究对象,抛光硅片为基材,分别研究了稀释体积比、速度以及距离等喷涂工艺对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响。并以表面具有非平面凸台结构的ITO玻璃为基材,分别进行压电雾...
关键词：负性光刻胶 压电雾化喷涂 平均厚度 均匀性 抛光硅片 凸台结构 
电子材料
《新材料产业》2016年第11期78-80,共3页
日本电气硝子与东旭光电合资
　　据报道，日本电气硝子公司近日宣布，与东旭光电科技及其全资子公司福州东旭光电科技就平板显示器（FPD）用玻璃加工合资业务达成了一致。
关键词：电子材料 日本电气 偏光片 液晶面板 东旭光电 光电科技 AMOLED 抛光硅片 平板显示产业 硝子 京东方 电子信息产业 
超声振动辅助固结磨粒抛光硅片表面形成机理及实验被引量：3
《中国机械工程》2016年第23期3208-3214,共7页曾一凡 杨卫平 吴勇波 刘曼利 
国家自然科学基金资助项目(51065011);国家留学基金委"地方合作项目"(201208360113)
基于超声加工所具有的加工效率和加工表面质量高等特性,提出了一种超声振动辅助固结磨粒化学机械复合抛光硅片新技术。对抛光工具及复合抛光实验系统的建立进行了描述,在此基础上开展硅片抛光表面形貌及材料去除机理的理论及实验研究,...
关键词：超声振动 固结磨粒 表面形貌 材料去除 机理 
RZJ-304光刻胶压电雾化喷涂工艺及其应用被引量：1
《电镀与涂饰》2016年第20期1070-1073,共4页翟荣安 缪灿锋 魏顶 储成智 汝长海 
国家自然科学基金仪器重大专项(61327811);苏州市科学发展计划纳米技术专项(ZXG201433);欧盟第七框架国际合作基金(PIRSES-GA-2013-612641)
在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RZJ-304正性光刻胶为研究对象,圆形抛光硅片为基材,研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响,并得到最佳工艺参数。以具有方形结构的抛光硅片为基材,分别进行压电...
关键词：正性光刻胶 压电雾化喷涂 平均厚度 均匀性 抛光硅片 方形结构 
雾化施液CMP抛光硅片的亚表层损伤研究被引量：1
《硅酸盐通报》2015年第8期2291-2297,共7页壮筱凯 李庆忠 
国家自然科学基金项目(51175228)
雾化施液CMP抛光后的硅片依然存在亚表层损伤,会严重影响硅片的使用性能。首先利用化学腐蚀法和光学显微镜分别观测了亚表层的微裂纹以及不同部位的位错蚀坑形貌和位错密度。然后利用显微共聚焦拉曼光谱仪分析了抛光前后硅片表面残余应...
关键词：雾化施液 位错 微裂纹 残余应力 亚表层损伤深度 
重庆超硅半导体8/12英寸抛光硅片年内出片
《半导体信息》2015年第3期43-44,共2页郑畅 
从重庆超硅光电技术有限公司获悉,该公司集成电路用8/12英寸半导体级抛光硅片及其延伸产品制造基地的土建工程即将于近日完工,可达到取证验收要求。按计划今年底可以出片,一举改变该材料依靠进口的局面。据悉,重庆超硅半导体项目,投资1...
关键词：硅半导体 出片 两江新区 验收要求 硅产业 厂房面积 土建工程 光电技术 半导体材料 延伸产品 
雾化施液抛光硅片位错的化学腐蚀形貌分析被引量：2
《表面技术》2015年第5期129-135,共7页壮筱凯 李庆忠 
国家自然科学基金项目(51175228)~~
目的研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光...
关键词：雾化施液 硅片 位错腐蚀坑 传统抛光 雾化参数 
固结磨粒化学机械抛光硅片的不规则表面微小去除量测量
《工具技术》2014年第9期86-87,共2页杨卫平 吴勇波 
国家自然科学基金(51065011);国家留学基金委和江西省教育厅科技项目(GJJ10408)
现代加工精度不断提高,常需对材料的微小去除量进行测量。本文针对固结磨粒超精密抛光硅片时,出现不规则加工表面形状的材料去除量测量问题,采用一种常见的表面粗糙度测量仪,在完成硅片表面粗糙度测量的同时,对其表面形貌进行测量。然后...
关键词：不规则表面 抛光 微小去除量 测量 
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