云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- HFO2

HFO2: 作品数：151被引量：186H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：贺中亮谈国强刘剑代广珍苗鸿雁更多>>; 相关机构：湘潭大学电子科技大学中国科学院中国科学院大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>

Thermal Transport Mechanism of Amorphous HfO_(2):A Molecular Dynamics Based Study被引量：1: 《Journal of Thermal Science》2022年第4期1052-1060,共9页ZHANG Honggang WEI Han BAO Hua; supported by the National Natural Science Foundation of China(NSFC)(No.12104291)and(No.51676121)。; Amorphous hafnium dioxide(a-HfO_(2))has attracted increasing interest in the application of semiconductor devices due to its high dielectric constant.However,the thermal transport properties of a-HfO_(2) are not well ...; 关键词：amorphous HfO2 molecular dynamics thermal conductivity mean free path size effect temperature effect

GaN MOS-HEMT生物传感器对于GO_(X)的灵敏度检测被引量：1: 《科技创新与应用》2022年第10期13-15,20,共4页沈杭; 文章介绍一种高分辨率的AlGaN/AlN/GaN金属氧化物半导体——高电子迁移率晶体管(HEMT),并研究GaN MOS-HEMT生物传感器对于葡萄糖生物标志物GO_(X)(葡萄糖氧化酶)灵敏度检测的可行性。与传统用于葡萄糖检测的生物传感器进行对比发现,以Hf...; 关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 葡萄糖 GO_(X) HFO2 灵敏度

Low Voltage Reversible Manipulation of Ferromagnetic Resonance Response in CoFeB/HfO2 Heterostructures: 《Chinese Physics Letters》2020年第12期86-89,共4页Yangping Wang Hongyan Zhou Yibing Zhao Fufu Liu Changjun Jiang; the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51671099 and 11974149);the Open Foundation Project of Jiangsu Key Laboratory of Thin Films(Grant No.KJS1745);the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University(Grant No.IRT-16R35);the Fundamental Research Funds for the Central Universities。; We report that the ferromagnetic resonance(FMR)response of the CoFeB/HfO2 heterostructures is stabilized and reversibly manipulated by ionic gel.Ionic gel with excellent flexibility is used as a medium to form an elec...; 关键词：field. state. magnetic

Study on Simulation and Profile Prediction of Atomic Layer Deposition: 《Journal of Microelectronic Manufacturing》2020年第3期18-27,共10页Lei Qu Chen Li Jiang Yan Rui Chen Jing Zhang Yanrong Wang Yayi Wei; The Atomic Layer Deposition process(ALD)is widely used in FinFET,3D-NAND and other important technologies because of its self-limiting signature and low growth temperature.In recent years,the development of computer e...; 关键词：Atomic Layer Deposition process simulation profile model temperature fitting film of HfO2

HfO2/SrTiO3全氧化物场效应晶体管栅极漏电性质研究: 《电子元件与材料》2020年第9期56-61,共6页杨潇肖化宇唐义强曾慧中张万里; 国家重点研发计划(2017YFB0406401);国家自然科学基金(51672035)。; 基于等离子轰击和射频磁控溅射技术,制备了HfO2/SrTiO3结构的全氧化物场效应晶体管(FET),并研究了其栅极漏电性质。该全氧化物晶体管的制备工艺均在室温条件下完成,包括Ar+轰击在SrTiO3单晶表面产生的导电沟道,溅射生长非晶HfO2薄膜作...; 关键词：非晶氧化物场效应晶体管漏电机制空间电荷限制电流缺陷

Comparative study on characteristics of Si-based AlGaN/GaN recessed MIS-HEMTs with HfO2 and Al2O3 gate insulators: 《Chinese Physics B》2020年第8期445-450,共6页Yao-Peng Zhao Chong Wang Xue-Feng Zheng Xiao-Hua Ma Kai Liu Ang Li Yun-Long He Yue Hao; the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61974111,11690042,and 61974115);the National Pre-research Foundation of China(Grant No.31512050402);the Fund of Innovation Center of Radiation Application,China(Grant No.KFZC2018040202).; Two types of enhancement-mode(E-mode)AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors(MIS-HEMTs)with different gate insulators are fabricated on Si substrates.The HfO2 gate insulator and the ...; 关键词：ALGAN/GAN ENHANCEMENT-MODE MIS-HEMT HFO2 AL2O3

Ionic liquid gating control of planar Hall effect in Ni80Fe20/HfO2 heterostructures: 《Chinese Physics B》2020年第7期537-541,共5页Yang-Ping Wang Fu-Fu Liu Cai Zhou Chang-Jun Jiang; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.51671099 and 11974149);the Open Foundation Project of Jiangsu Key Laboratory of Thin Films(Grant No.KJS1745);the Program for Changjiang Scholars and Innovative Research Team in University,China(Grant No.IRT16R35);the Fundamental Research Funds for the Central Universities,China.; We report a tunable transverse magnetoresistance of the planar Hall effect(PHE),up to 48%in the Ni80Fe20/HfO2 heterostructures.This control is achieved by applying a gate voltage with an ionic liquid technique at ultr...; 关键词：ionic liquid gating planar Hall effect electric field regulation

HfO2基铁电场效应晶体管读写电路的单粒子翻转效应模拟被引量：2: 《物理学报》2020年第9期270-279,共10页黎华梅侯鹏飞王金斌宋宏甲钟向丽; 国家自然科学基金(批准号:11875229);电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室开放基金(批准号:ZHD201803)资助的课题.; 使用器件-电路仿真方法搭建了氧化铪基铁电场效应晶体管读写电路,研究了单粒子入射铁电场效应晶体管存储单元和外围灵敏放大器敏感节点后读写数据的变化情况,分析了读写数据波动的内在机制.结果表明:高能粒子入射该读写电路中的铁电存...; 关键词：铁电场效应晶体管单粒子瞬态单粒子翻转

HfO2/SrTiO3氧化物场效应晶体管的深能级瞬态谱测试方法研究: 《电子测量技术》2020年第9期23-28,共6页肖化宇杨潇唐义强曾慧中张万里; 国家自然科学基金(51672035)项目;国家重点研发计划(2017YFB0406401)项目资助; 研究了深能级瞬态谱(DLTS)测量HfO2/SrTiO3(STO)场效应晶体管中缺陷的方法。该场效应晶体管的沟道为Ar+轰击SrTiO3表面形成的导电层,导电层表现为n型掺杂,其载流子浓度约为2.5×1013 cm-2;栅介质为通过磁控溅射的方法制备的非晶氧化铪...; 关键词：HfO2/SrTiO3 场效应晶体管 DLTS 缺陷介电常数

铝热自蔓延还原氧化铪实验研究被引量：1: 《原子能科学技术》2020年第4期671-677,共7页刘海马朝辉黄景存王力军; 国家重点研发计划项目资助(2017YFB0305400)。; 本文采用化学分析、X射线衍射(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)等手段和方法,对铝热自蔓延还原氧化铪方法进行实验研究。结果表明,在物料单位发热量大于3000 kJ/kg的条件下,可实现氧化铪的直接还原,原料加入CaO后,产物的渣金分离效果明显。XR...; 关键词：铝热还原自蔓延反应 HFO2 Al3Hf 渣金分离

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