铁电场效应晶体管

作品数：34被引量：39H指数：3
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相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>
相关作者：廖敏周益春彭悦韩根全郝跃更多>>
相关机构：湘潭大学西安电子科技大学北京大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊：《高科技与产业化》《南通大学学报（自然科学版）》《计算机辅助设计与图形学学报》《现代电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金南通市应用研究计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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西安电子科技大学在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展
《陕西教育(高教版)》2025年第4期9-9,共1页陈栋(整理) 
据西安电子科技大学网站,近日,西安电子科技大学杭州研究院(西电杭研院)韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展,相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Tr...
关键词：铁电场效应晶体管 西安电子科技大学 FET 
基于FeFET的完全非易失全加器设计
《宁波大学学报(理工版)》2025年第2期71-77,共7页王凯玥 查晓婧 王伦耀 夏银水 
国家自然科学基金(62304115,U23A20351);浙江省自然科学基金创新群体项目(LDT23F04021F04).
铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field-Effect Transistor,FeFET)的滞回特性使其既可充当开关又可充当非易失性存储元件,常被应用于存内逻辑电路设计.然而现有基于FeFET的存内逻辑电路设计存在计算时需要访问部分操作数,输出需要额外...
关键词：铁电场效应晶体管 存内逻辑 非易失性 全加器 
二维铁电材料研究进展被引量：2
《科学通报》2023年第31期4103-4118,共16页丁家辉 朱玉姗 刘子嘉 程瑞清 何军 
国家重点研发计划(2018YFA0703700);国家自然科学基金(91964203)资助。
近年来,随着微电子学的不断进步,电子器件正朝着小型化、集成化的趋势发展.但是在纳米尺度下,表面效应和尺寸效应将变得不可忽略,这便制约了传统块体铁电材料在现代工业中的应用.因此,没有小尺寸效应限制并且有着稳定自发极化的二维铁...
关键词：铁电性 范德华层状材料 铁电场效应晶体管 铁电隧道结 铁电突触 
HfO_(2)基铁电场效应晶体管
《智能物联技术》2023年第5期1-5,9,共6页肖金盼 苏铭吉 刘宗芳 Choonghyun Lee 
科技创新2030—“新一代人工智能”重大项目(No.2020AAA0109000);浙江省“领雁”重点研发计划(No:2022C01098);开发面向存算一体应用的氧化铪基铁电高效多值存储技术研究项目(AFT0121042)。
铁电晶体管作为一种新型的存储器件,由于与CMOS工艺兼容、低功耗等优点,吸引了研究者广泛关注。近年来,Flash、RRAM、FeFET等不同存储器件发展迅速,但都存在一定的微缩问题。大量研究工作表明,HfO_(2)基材料在1 nm厚度时也有微弱的铁电...
关键词：HfO_(2)基铁电薄膜 场效应晶体管 制备工艺 存储机制 
SiON界面层对铪基FeFET栅缺陷影响的第一性原理研究被引量：1
《微纳电子与智能制造》2023年第3期35-40,共6页柴俊帅 徐昊 王晓磊 罗军 王文武 叶甜春 
SiON界面层是提升铪基铁电场效应晶体管疲劳特性的一个有效方法,然而,其物理机制目前尚不清楚。在这项工作中,基于第一性原理计算,通过构建结构为o-Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)/SiON/Si和o-Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)/SiO_(2)/Si的铪基Fe FET栅...
关键词：铁电场效应晶体管 氧化铪 疲劳特性 栅缺陷 第一性原理计算 
基于免疫算法的铁电场效应晶体管多态门设计方法被引量：2
《电子与信息学报》2023年第9期3157-3165,共9页张立宁 胡伟晨 王新安 崔小乐 
深圳学科布局项目(JCYJ20220818100814033);深圳孔雀团队项目(KQTD20200820113105004);广东省重点科技研发计划(2019B010155002)。
应用于硬件安全领域的多态电路对于除金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)外的新器件的研究较少,往往只有少数几个设计实例,缺乏一般化的研究方法和多态门设计平台。面向铁电场效应晶体管(FeFET)器件,该文提出一种多态门设计方法。该...
关键词：多态门 铁电场效应晶体管 免疫算法 硬件安全 
铁电晶体管近似搜索存储器的电流模测量实现
《计算机辅助设计与图形学学报》2023年第5期796-802,共7页陈雨过 王观涛 黄文韬 卓成 尹勋钊 
信息物理社会可信服务计算教育部重点实验室基金(CPSDSC202002);国家自然科学基金(62104213,92164203);浙江省自然科学基金(LQ21F040006,LD21F040003);浙江省科技计划(2022C01232);之江实验室基金(2021MD0AB02);浙江大学曹光彪高科技发展基金。
在高硬件容错性模型中,近似搜索可应对数据量与运算量需求能效提高的问题.针对三态内容寻址存储器在近似搜索模式下精度低、可扩展性差等问题,提出了一种电流模测量方案.该方案基于铁电晶体管优化了存储单元的结构设计以降低面积与功耗...
关键词：存内计算 三态内容寻址存储器 铁电场效应晶体管 近似搜索 
铁电场效应晶体管材料设计的研究进展
《信息记录材料》2023年第2期28-31,36,共5页高武 李星星 刘礼祥 张志伟 郭伟钦 
铁电场效应晶体管(FeFET)作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一,引起研究人员的广泛关注。本文系统阐述了Fe FET的工作原理及结构设计,介绍了Fe FET结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。本文提出了一种新型Fe ...
关键词：铁电场效应晶体管 非易失性存储器 铁电材料 缓冲层材料 界面效应 薄膜 结构设计 器件性能 
全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单元单粒子效应计算机模拟研究
《物理学报》2022年第6期363-370,共8页沈睿祥 张鸿 宋宏甲 侯鹏飞 李波 廖敏 郭红霞 王金斌 钟向丽 
国家自然科学基金(批准号:11875229,51872251,61634008);湖南省自然科学基金(批准号:2021JJ30675);湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:20B560)资助的课题.
铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,是最有前景的新型半导体存储器件之一.为促进铁电场效应晶体管在辐射环境中的应用,本文利用计算机辅助设计软件对全耗尽绝缘体上硅氧化铪基铁电场效应晶体管存储单...
关键词：全耗尽绝缘体上硅 铁电场效应晶体管 单粒子效应 计算机辅助设计 
基于非易失性存储器件的类脑计算研究进展
《功能材料与器件学报》2021年第6期505-513,共9页周琮泉 秦瑞东 李鑫 
随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存的类脑计算器件集成一系列受神经系统启发的功能,从而为大数据计算工作提供一种高效、节能的方法。本文介...
关键词：类脑计算 非易失性内存器件 相变存储器 阻变随机存储器 铁电场效应晶体管 
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