氧化铪

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HfO_(2)基铁电材料准静态负电容机理
《北京工业大学学报》2025年第3期269-276,共8页尹志岗 董昊 程勇 吴金良 张志伟 张兴旺 
国家自然科学基金资助项目(62074145,62274162)。
HfO_(2)基铁电薄膜的负电容现象提供了解决微纳电子器件功耗问题的可行策略,但其物理图像却一直饱受争议。基于Landau-Devonshire和Landau-Khalatnikov方程,对铁电HfO_(2)/介质双层体系开展了理论模拟。结果表明:根植于零场吉布斯自由...
关键词：负电容 极化-电压曲线 回滞 吉布斯自由能 热耗散 氧化铪基铁电材料 
氧化铪基铁电薄膜的研究进展
《微纳电子技术》2024年第12期28-38,共11页秦羽铖 蒋昊岚 闵月淇 谢文钦 张静 谢亮 
氧化铪(HfO_(2))基铁电薄膜拥有稳定、独特的铁电极化,且与CMOS集成电路制造工艺的高度兼容性,成为下一代高密度、非易失性铁电存储器的重要候选材料,因而备受关注。首先探讨了HfO_(2)基铁电薄膜的不同制备方法,分析了脉冲激光沉积法、...
关键词：氧化铪(HfO_(2))薄膜 铁电性 铁电正交相 铁电性起源 铁电存储器 
用于中子吸收的铪酸铕陶瓷性能研究
《原子能科学技术》2024年第8期1716-1724,共9页易璇 徐敏 霍小东 米爱军 范武刚 王姝驭 
近年来,一些具有高熔点、无α粒子辐射优点的新型中子吸收材料被法国和日本等国提出。本研究以摩尔比为1:1的氧化铕和氧化铪混合物为原料,通过陶瓷烧结工艺研制了一种具有萤石稳定相的铪酸铕(Eu_(2)HfO_(5))中子吸收材料。对样品开展了...
关键词：中子吸收材料 Eu_(2)HfO_(5) 氧化铪 氧化铕 性能测试 
氧化铪基铁电电容的唤醒-疲劳效应与相结构演变
《电子显微学报》2024年第3期277-282,共6页辛天骄 王怡炜 高兆猛 郑赟喆 郑勇辉 成岩 
国家自然科学基金资助项目(Nos.62174054,92064003,62104071,12134003);上海市自然科学基金资助项目(No.23ZR1418000);中国科学院战略性先导科技专项(No.XDB44000000).
掺杂氧化铪(HfO_(2))铁电薄膜具有优异的尺寸微缩特性与良好的半导体工艺兼容性,其铁电电容结构兼容主流动态随机存取存储架构,是新型存储器介质材料的有力候选者。HfO_(2)基铁电电容随电学读写操作(循环)次数的增加,其代表“0”和“1...
关键词：掺杂氧化铪 铁电存储 唤醒 疲劳 失效 
氧化锰-氧化铪双层结构阻变存储器交叉阵列的研究
《化工新型材料》2024年第S01期246-250,共5页胡全丽 罗涵琼 苏旺 
国家自然科学基金地区项目(22261043);内蒙古自然科学基金青年项目(2022QN02016);内蒙古自治区高等学校科学技术研究自然科学重点项目(NJZZ22461);内蒙古民族大学博士启动基金项目(BS456)。
组建了具有5×5交叉阵列结构的Ag/MnO/HfO_(2)/Pt阻变存储器,研究了MnO和HfO_(2)双层结构的电阻转变特性。器件表现出高开关比、低操作电压和无电初始化等稳定的双极性电阻转变特性。电阻转变机制主要为欧姆传导和肖特基发射机制。证明...
关键词：氧化锰 氧化铪 阻变存储器 交叉阵列 
氧化镱掺杂氧化铪陶瓷的高温相稳定性与热膨胀性能
《过程工程学报》2024年第5期580-588,共9页周菲 兰昊 孙小明 张会丰 孙勇辉 杜令忠 张伟刚 
国家重点研究项目(编号:2022YFC3902001);中国科学院赣江创新研究院自主部署项目(编号:E155D001);中国科学院绿色过程制造创新研究院稀土产业基金(编号:IAGM2020DB04);江西省双千计划(编号:jxsq2020105012);中国科学院重点部署项目资助(编号:ZDRW-CN-2021-2-2,ZDRW-CN-2021-3)。
燃气涡轮发动机推重比的提高依赖于发动机工作温度的提升。目前,寻找比传统YSZ(氧化钇部分稳定的氧化锆)材料耐受温度更高,与镍基基体热膨胀系数匹配的新型热障涂层陶瓷材料是首要任务。采用水热法合成一系列氧化镱掺杂氧化铪(YbSH)纳...
关键词：氧化镱稳定氧化铪 热障涂层材料 微观结构 高温相稳定性 热膨胀系数 
化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
《材料工程》2024年第5期67-75,共9页何锐朋 朱利安 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 
国家自然科学基金(52071333);湖南省创新型省份建设专项(湖湘青年英才)(2020RC3034)。
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结...
关键词：化学气相沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性 
氧化铪基铁电薄膜相结构调控的研究进展
《工程科学学报》2024年第4期649-656,共8页李彦 郭媛媛 梁海龙 张建婷 王兴刚 刘书棋 辛宁 
辽宁省教育厅优秀人才项目(2020LNQN09);安工大先进金属材料绿色制备与表面技术教育部重点实验开放基金资助项目(GFST2021KF02)。
随着微电子技术的发展,氧化铪(HfO2)因具有与Si基半导体工艺相兼容、适宜的相对介电常数、良好的热稳定性和化学稳定性以及较大的禁带宽度等优点,成为当前新型铁电材料的研究焦点.HfO2是一种典型的“相结构决定性能,性能决定应用”的材...
关键词：氧化铪 铁电薄膜 相调控 氧空位 膜厚 
掺杂氧化铪基薄膜铁电性能的研究进展
《真空》2024年第1期10-20,共11页乌李瑛 刘丹 付学成 程秀兰 
2021年上海交通大学决策咨询重点课题(No.JCZXSJA-04)。
铁电薄膜的研究多集中于钙钛矿结构材料,然而,这些传统的铁电材料存在与硅Si兼容性差、含铅而污染环境、物理厚度大、电阻低、带隙小等问题。不同的掺杂剂,如Si、Zr、Al、Y、Gd、Sr和La可以在HfO_(2)薄膜中诱导铁电或反铁电性,使其剩余...
关键词：原子层沉积 氧化铪薄膜 掺杂 铁电性 极化 
插层Al_(2)O_(3)对氧化铪基忆阻器的性能优化及多值特性研究
《微电子学》2023年第6期1114-1124,共11页谭翊鑫 何慧凯 
浙江省“领雁”研发攻关计划资助项目(2022C01098)
近年来,氧化铪基忆阻器因其优异的阻变性能及与CMOS工艺兼容等特点而被广泛研究。然而,氧化铪基忆阻器仍存在以下问题:1)器件良率、可靠性、均一性不足;2)Set和Reset过程中电流突变,导致多值特性较差。为实现氧化铪基忆阻器的性能优化...
关键词：忆阻器 氧化铪 氧化铝 多值特性 性能优化 
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