云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 罗军

罗军: 作品数：22被引量：37H指数：3; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：半导体器件沟道金属硅化物衬底半导体更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>; 发文期刊：《稀有金属》《中国科学：生命科学》《传感技术学报》《微电子学》更多>>; 所获基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家高技术研究发展计划更多>>

环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述: 《材料导报》2024年第9期14-20,共7页刘恩序李俊杰刘阳杨超然周娜李俊峰罗军王文武; 中国科学院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001)。; 环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要...; 关键词：锗硅选择性刻蚀环栅内侧墙沟道释放纳米线纳米片

SiON界面层对铪基FeFET栅缺陷影响的第一性原理研究被引量：1: 《微纳电子与智能制造》2023年第3期35-40,共6页柴俊帅徐昊王晓磊罗军王文武叶甜春; SiON界面层是提升铪基铁电场效应晶体管疲劳特性的一个有效方法,然而,其物理机制目前尚不清楚。在这项工作中,基于第一性原理计算,通过构建结构为o-Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)/SiON/Si和o-Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)/SiO_(2)/Si的铪基Fe FET栅...; 关键词：铁电场效应晶体管氧化铪疲劳特性栅缺陷第一性原理计算

面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究: 《真空科学与技术学报》2023年第5期396-402,共7页刘阳李俊杰吴次南张青竹王桂磊周娜高建峰孔真真韩江浩罗彦娜刘恩序杨涛李俊峰殷华湘罗军王文武; 中科院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001);环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。; 针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...; 关键词：Si_(0.7)Ge_(0.3) 空腔刻蚀刻蚀精度粗糙度刻蚀形貌

2.5D/3D硅基光电子集成技术及应用被引量：4: 《光通信研究》2023年第1期1-16,共16页欧祥鹏杨在利唐波李志华罗军王文武杨妍; 国家自然科学基金青年资助项目(61904196);国家自然科学基金面上资助项目(62274179);国家自然科学基金重点资助项目(62235001);国家重点研发计划资助项目(2022YFB2802400)。; 全球网络流量急速增长,数据传输所需带宽和能源消耗也随之快速增加,传统电子信息互联架构已无法满足日益增长的带宽和节约能耗的需求。硅基光电子技术具有带宽高、能耗低并且可以利用成熟的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将光子集成电...; 关键词：光通信硅光光电集成 2.5D/3D集成硅通孔转接板

全球集成电路技术合作研发的发展现状及其经验启示被引量：3: 《前瞻科技》2022年第3期10-19,共10页王文武罗军王晓磊徐昊; 集成电路是信息产业的基础,在社会经济发展等方面发挥了重要的作用。为系统了解中国集成电路技术创新发展情况,并应对新时期技术研发与协同发展的重大挑战,文章通过文献计量等方法,对全球集成电路技术发展现状进行初步梳理,分析了技术...; 关键词：集成电路国家战略科技力量合作模式

超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究被引量：1: 《稀有金属》2022年第4期480-487,共8页李昱东张兆浩闫江唐波张青竹罗军; 国家自然科学基金项目(61904194,61874135,91964202);国家科技重大专项项目(2017ZX02315001-1);中国科学院集成电路创新研究院基金项目(Y9YC04X02);中国科学院青年创新促进基金项目(Y9YQ01R004);中国科学院微电子与器件与集成重点实验室开放课题项目(Y9YS05X002)资助。; 基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进...; 关键词：Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) 原子层沉积铁电超薄绝缘体上硅(ETSOI) 负电容低功耗

一种新型电压倍增电路的设计被引量：1: 《微电子学》2019年第6期802-806,811,共6页侯西亮罗军李弦; 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003002); 为了消除传统电压倍增电路中NMOS管的体效应、电荷回流等问题,提出了一种新型电压倍增电路。采用两相非交叠时钟,通过反相器对PMOS传输管栅极进行动态偏置,消除了NMOS管传输高电压时的阈值损失。采用动态衬底偏置方法,保证内部PN结的反...; 关键词：电压倍增电路体效应电荷回流效率

新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望被引量：3: 《微纳电子技术》2019年第11期875-887,901,共14页刁华彬杨凯赵超罗军; Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注。首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga...; 关键词：β-Ga2O3 超宽禁带半导体功率器件肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)

β-Ga2O3欧姆接触的研究进展被引量：1: 《微纳电子技术》2019年第9期681-690,共10页杨凯刁华彬赵超罗军; 近年来,随着氧化镓(Ga2O3)晶体生长技术取得突破性进展,氧化镓材料及器件的研究与应用成为国际上超宽禁带半导体领域的研究热点。综述了β-Ga2O3衬底的一些优点以及面临的挑战,重点介绍了如何实现良好的欧姆接触。围绕采用低功函数金属...; 关键词：β-Ga2O3 欧姆接触功率器件金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 金属电极

基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究被引量：2: 《半导体技术》2019年第7期542-547,共6页田阳雨罗军金鹰吴元芳; 国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001); 利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺...; 关键词：电荷泵技术缺陷能级分布缺陷空间分布三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)

罗军