锗硅

作品数：192被引量：208H指数：6
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基于相位校准技术的宽带卫星通信相控阵接收芯片设计与实现
《电子器件》2024年第5期1157-1164,共8页谢卓恒 黄波 刘兰 冯越 阳润 杭虹江 袁素 
国家重点研发计划课题项目(2020YFB1806203)。
论述了一种基于SiGe BiCMOS工艺的19 GHz~23 GHz四通道卫星通信相控阵接收芯片,该芯片采用有源矢量合成架构进行移相器设计,每个通道由低噪声放大器、移相器、合路器构成,测试结果表明单通道增益(包含合成损耗)大于25 dB,噪声系数小于2....
关键词：卫星通信 四通道 接收芯片 毫米波 锗硅双极互补金属氧化物半导体 
基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究
《物理学报》2024年第12期288-299,共12页黄馨雨 张晋新 王信 吕玲 郭红霞 冯娟 闫允一 王辉 戚钧翔 
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 反模 混合仿真 
环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述
《材料导报》2024年第9期14-20,共7页刘恩序 李俊杰 刘阳 杨超然 周娜 李俊峰 罗军 王文武 
中国科学院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001)。
环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要...
关键词：锗硅 选择性刻蚀 环栅 内侧墙 沟道释放 纳米线 纳米片 
中红外硅基光波导的发展现状
《电子科技》2024年第2期36-45,共10页冯露露 冯松 胡祥建 陈梦林 刘勇 王迪 
国家重点研发计划(2018YFB2200500);国家自然科学基金(61204080);国家重点实验室基金(SKL201804);陕西省重点研发计划(2022GY-012,2020KW-011);西安市科技计划(2020KJRC0026)。
作为硅光子集成芯片中基本无源器件的硅基光波导是进行光信号传输的通道,其具有良好的性能,且与CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺相兼容因而得到广泛应用。用于电信和数据中心的硅光子集成电路已逐步走向商业化。近年...
关键词：中红外 硅光子学 无源器件 硅基光波导 绝缘体上硅 锗硅 传播损耗 工作波长 
SiGe电光调制器研究进展
《电子科技》2024年第2期46-54,共9页王迪 冯松 陈梦林 刘勇 胡祥建 冯露露 
国家重点研发计划(2018YFB2200500);国家自然科学基金(61204080);国家重点实验室基金(SKL201804);陕西省重点研发计划(2022GY-012);西安市科技计划(2020KJRC0026)。
光子调制器是光纤通信系统中的核心器件,主要对光信号进行调制,实现信号从电域到光域的转换。随着硅基半导体工艺的发展,硅基光子调制器逐渐成为了主流硅光子器件,基于硅工艺技术的GHz带宽调制器的实现也为硅光子学的发展奠定了基础。...
关键词：硅光子学 光子器件 调制器 锗硅 PIN PN 量子阱 研究进展 
U波段放大用国产高增益掺铋高锗硅基光纤
《中国激光》2023年第24期235-236,共2页郭梦婷 田晋敏 王璠 李昕 邵冲云 王孟 张磊 周秦岭 徐永春 于春雷 胡丽丽 
国家重点研发计划(2020YFB1805902)。
掺铋石英光纤在1100~1800 nm波段具有超宽带发光特性,在全波段光通信领域展现出重大的应用潜力。铋离子在近红外波段的光谱特性与玻璃成分密切相关,在含不同共掺元素的硅基玻璃中可形成以下铋活性中心(BAC):BAC-Al、BAC-P、BAC-Si、BACG...
关键词：光纤光学 光通信领域 石英光纤 俄罗斯科学院 全波段 锗硅 近红外波段 宽带放大 
SiGe HBT器件低温S参数计算方法
《核电子学与探测技术》2023年第5期992-999,共8页魏正华 叶小兰 
湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108);湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436);长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08)。
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 S参数 低温 T型小信号电路模型 
锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究
《激光技术》2023年第5期587-591,共5页石浩天 江佩璘 张意 黄强 孙军强 
湖北省重点研发计划资助项目(2021BAA002)。
为了研究和论证锗硅材料体系在器件的工艺制备和理论性能上的优势,拓展锗硅量子阱结构的应用范围,采用数值仿真结合实际器件制备的方法,进行了理论分析和实验验证,设计了一种基于Ge/SiGe非对称耦合量子阱材料的光学相位调制器,并在实验...
关键词：集成光学 锗硅调制器 非对称耦合量子阱 相位调制 
锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展被引量：5
《太赫兹科学与电子信息学报》2022年第6期523-534,共12页李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 
国家自然科学基金资助项目(12005159);强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室开放课题资助项目(SKLIPR2010)。
异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特...
关键词：锗硅异质结双极晶体管 单粒子效应 总剂量效应 低剂量率辐射损伤增强效应 电离总剂量/单粒子效应协同效应 电离总剂量/位移损伤协同效应 
应用于锗硅材料的高效耦合光栅研究被引量：4
《激光与光电子学进展》2022年第19期210-216,共7页黄强 张意 江佩璘 余长亮 石浩天 黄楚坤 孙军强 
国家自然科学基金(61875063);湖北省重点研发计划项目(2021BAA002);邵阳市科技计划项目(2021004ZD)。
为实现单模光纤与锗硅材料器件的垂直耦合并提高耦合效率,设计了一种锗硅光栅耦合器。通过在硅衬底上增加金属反射层来提高光栅的耦合效率,并利用时域有限差分法仿真软件对锗硅光栅的刻蚀深度、刻蚀槽宽和光栅周期等结构进行了优化。然...
关键词：集成光学 锗硅材料 垂直耦合 光栅耦合器 金属反射层 
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