云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 李俊峰

李俊峰: 作品数：17被引量：4H指数：2; 导出分析报告; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文主题：半导体器件刻蚀衬底沟道栅极更多>>; 发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>; 发文期刊：《电子工业专用设备》《微纳电子技术》《电子器件》《材料导报》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家科技重大专项国家电网公司科技项目更多>>

环栅晶体管制备中SiGe选择性刻蚀技术综述: 《材料导报》2024年第9期14-20,共7页刘恩序李俊杰刘阳杨超然周娜李俊峰罗军王文武; 中国科学院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001)。; 环栅(Gate-all-around,GAA)晶体管是3 nm以下节点替代现有鳍式晶体管(FinFET)最有竞争力的器件结构,能有效改善器件尺寸不断微缩带来的短沟道效应。与FinFET相比,GAA器件制备的工艺流程中内侧墙制备和沟道释放是新引入的工艺模块,均需要...; 关键词：锗硅选择性刻蚀环栅内侧墙沟道释放纳米线纳米片

面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究: 《真空科学与技术学报》2023年第5期396-402,共7页刘阳李俊杰吴次南张青竹王桂磊周娜高建峰孔真真韩江浩罗彦娜刘恩序杨涛李俊峰殷华湘罗军王文武; 中科院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001);环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。; 针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...; 关键词：Si_(0.7)Ge_(0.3) 空腔刻蚀刻蚀精度粗糙度刻蚀形貌

5位高速低功耗Binary-Search模数转换器: 《微电子学》2022年第2期289-294,共6页赵汝法熊德宇王巍张定冬张珊袁军杨正琳李俊峰; 重庆市科技局产业化项目(cstc2018jszx-cyztzx0211,cstc2018jszx-cyztzX0048,cstc2018jszx-cyztzx0217);重庆市教育委员会科学技术研究计划项目(KJQN201800628)。; 基于65 nm CMOS工艺,设计了一种高速低功耗二分搜索算法(Binary-Search)模数转换器(ADC)。与传统Binary-Search结构相比,该ADC的比较器采用两级动态前置放大器和一级动态闩锁器组合构成,减小了静态电流,得到极低的功耗;失调电压降低到...; 关键词：模数转换器二分搜索算法全动态结构

22纳米集成电路核心工艺技术及应用: 《中国科技成果》2017年第13期1-1,共1页叶甜春徐秋霞朱慧珑陈大鹏赵超闫江王文武霍宗亮李俊峰殷华湘李东三张建勇王敬; 集成电路（IC）技术是现代信息社会的基石，也是高新技术发展的集中体现，在国家信息安全中发挥着重要的战略性作用。当前，器件特征尺寸已微缩到22纳米及以下，由于短沟道效应和沟道散射效应，在关键技术上面临严重挑战。; 关键词：高新技术发展纳米集成电路短沟道效应应用工艺国家信息安全信息社会特征尺寸

4H-SiC肖特基势垒二极管结终端刻蚀技术研究: 《智能电网》2016年第6期550-553,共4页王嘉铭钮应喜裴紫微赵妙杨霏李俊杰李俊峰张静许恒宇金智刘新宇; 国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~; 碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology,JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes,SBD)的耐压性能,而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键...; 关键词：SIC 肖特基势垒二极管结终端技术耐压性能

Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善: 《智能电网（汉斯）》2015年第6期300-307,共8页裴紫微陈晨杨霏许恒宇张静万彩萍刘金彪李俊峰金智刘新宇; 碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOS...; 关键词：4H-SIC 传输线方法欧姆接触

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术被引量：2: 《微纳电子技术》2013年第6期386-390,共5页陈广璐唐波唐兆云李春龙孟令款贺晓彬李俊峰闫江; 国家科技重大专项22 nm先导工艺项目(2009ZX02035-006);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助项目; 成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工...; 关键词：电子束光刻(EBL) 电子束直写(EBDW) 邻近效应混合光刻纳米器件后栅工艺

A High Performance 0.18μm RF nMOSFET with 53GHz Cutoff Frequency: 《Journal of Semiconductors》2006年第8期1343-1346,共4页杨荣李俊峰徐秋霞海潮和韩郑生钱鹤; 国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA1Z1580);国家自然科学基金(批准号:60576051)资助项目~~; This paper presents the fabrication and performance of a 0.18μm nMOSFET for RF applications. This device features a nitrided oxide/poly-silicon gate stack, a lightly-doped-drain source/drain extension, a retrograde c...; 关键词：STRUCTURE PROCESS radio frequency NMOSFET

改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀: 《固体电子学研究与进展》2006年第3期389-393,共5页杨荣李俊峰钱鹤; 国家高技术研究与发展计划(863计划)资助(课题编号2002AA1Z1580); 提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,...; 关键词：螺旋电感品质因数硅铝刻蚀

A Novel Local-Dielectric-Thickening Technique for Performance Improvements of Spiral Inductors on Si Substrates: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期857-861,共5页杨荣李俊峰赵玉印柴淑敏韩郑生钱鹤; 国家高技术研究与发展计划资助项目(批准号:2002AA1Z1580)~~; A novel local-dielectric-thickening technique i s presented for performance improvements of Si-based spiral inductors.This technique employs the processes of deposition,photolithography,and wet-etching,to locally thic...; 关键词：SILICON INDUCTOR structure process quality factor self-resonant frequency

李俊峰