张青竹

作品数：19被引量：14H指数：2
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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：半导体器件沟道叠层纳米片金属栅更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《微电子学》《半导体技术》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家科技重大专项国家自然科学基金北京市科技新星计划中国科学院战略性先导科技专项更多>>
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基于硅材料MOS量子点单自旋量子比特的研究与实现
《稀有金属》2024年第1期118-137,共20页顾杰 殷华湘 吴振华 张青竹 
中国科学院战略性先导科技专项项目(Y9XDC2X001);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金项目(Y8YS03X002);中国科学院青年促进会基金项目(Y9YQ01R004)资助。
量子计算作为未来计算技术发展的一个重要方向,在一些特定领域具有现代计算机无可比拟的强大优势。基于硅材料的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor,MOS)量子点自旋量子比特由于拥有较长的相干时间以及与现代集成电路工艺兼容...
关键词：硅量子点 量子比特 量子计算 自旋 
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
《真空科学与技术学报》2023年第5期396-402,共7页刘阳 李俊杰 吴次南 张青竹 王桂磊 周娜 高建峰 孔真真 韩江浩 罗彦娜 刘恩序 杨涛 李俊峰 殷华湘 罗军 王文武 
中科院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001);环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...
关键词：Si_(0.7)Ge_(0.3) 空腔刻蚀 刻蚀精度 粗糙度 刻蚀形貌 
面向GAA器件的自对准侧墙转移技术
《微纳电子技术》2023年第5期793-802,共10页韩燕楚 张青竹 吴次南 李俊杰 张兆浩 田佳佳 殷华湘 
中国科学院战略性先导科技专项资助(E1XDC2X002);北京市科技新星计划(Z201100006820084)。
纳米尺度的图形化以及先进刻蚀技术是先进围栅(gate-all-around, GAA)器件面临的重要挑战之一。通过自对准侧墙转移技术设计和实现了纳米尺度的鳍和栅。同时采用剪裁氮化硅硬掩膜的方案设计实现了鳍剪裁,高效率地形成均匀的鳍阵列(宽度4...
关键词：自对准侧墙转移 围栅(GAA)器件 鳍阵列 鳍剪裁 干法刻蚀 
无结场效应晶体管生化传感器研究进展被引量：1
《半导体技术》2022年第11期854-864,共11页姜齐风 张静 魏淑华 张青竹 王艳蓉 李梦达 胡佳威 闫江 
基于无结场效应晶体管(JLFET)的生化传感器制备工艺简单,不存在传统场效应晶体管(FET)源漏结构引起的pn结杂质扩散等问题,因而备受重视。以工作机制可将其分为离子敏感型与介电调制型两大类,分别通过电解液向半导体转移电荷和调制栅介...
关键词：无结场效应晶体管(JLFET) 生化传感器 电解质 传感层 介电调制 
超薄Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2)铁电薄膜制备及在ETSOI器件应用研究被引量：1
《稀有金属》2022年第4期480-487,共8页李昱东 张兆浩 闫江 唐波 张青竹 罗军 
国家自然科学基金项目(61904194,61874135,91964202);国家科技重大专项项目(2017ZX02315001-1);中国科学院集成电路创新研究院基金项目(Y9YC04X02);中国科学院青年创新促进基金项目(Y9YQ01R004);中国科学院微电子与器件与集成重点实验室开放课题项目(Y9YS05X002)资助。
基于超薄铁电薄膜材料的场效应晶体管(field effect transistor,FET)是集成电路在5 nm及以下技术节点实现低功耗和高性能的技术方案之一。然而,由于铁电薄膜存在“死层”(dead layer)效应,造成超薄铁电薄膜保持足够铁电性以应用于先进...
关键词：Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2) 原子层沉积 铁电 超薄绝缘体上硅(ETSOI) 负电容 低功耗 
巨磁阻抗传感器在生物检测领域的研究进展被引量：1
《微纳电子技术》2022年第1期1-8,30,共9页孔云 吴次南 魏千惠 张青竹 魏峰 
有研集团科技创新基金资助项目(2020DY0102)。
对巨磁阻抗(GMI)效应的产生以及基于GMI效应制备的生物传感器的优势进行了简单阐述,分析了GMI生物传感器应用于生物检测的工作原理,并对GMI生物传感器的制备方法以及主要的薄膜结构对GMI比值的影响进行了综合介绍,总结了GMI生物传感器...
关键词：巨磁阻抗(GMI) 生物传感器 生物检测 免疫磁珠 巨磁阻抗(GMI)比值 
硅纳米线场效应晶体管生物传感器克服德拜屏蔽效应的研究进展
《稀有金属》2021年第11期1385-1393,共9页阳江兰 魏千惠 张青竹 肖寒 魏峰 
国家自然科学基金项目(61904194);中国科学院青年创新促进基金项目(Y9YQ01R004);贵州省自然科学研究项目(黔教合KY字[2018]016);2018年贵州民族大学校级基金资助
硅纳米线场效应晶体管(silicon nanowire field-effect transistor,SiNW-FET)生物传感器具有灵敏度高、特异性强、免标记、实时响应的检测能力而被广泛地研究和应用,如离子、核酸、蛋白质、病毒、糖类等目标生物分子以及细胞的活体信号...
关键词：硅纳米线 场效应晶体管 德拜屏蔽效应 生物传感器 
硅纳米线传感器灵敏度研究进展被引量：1
《微纳电子技术》2021年第3期225-232,253,共9页方敏 闫江 魏千惠 张青竹 魏淑华 王艳蓉 张兆浩 熊恩毅 张双 张静 
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02301007-001);中国科学院青年促进会基金资助项目(Y9YQ01R004);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放基金资助项目(E0YS01X001)。
对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(L...
关键词：硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET) 一维纳米材料 传感器 灵敏度 检测限(LOD) 表面修饰 
克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展被引量：1
《半导体技术》2021年第3期169-177,共9页熊恩毅 魏淑华 张兆浩 魏千惠 张双 方敏 张青竹 
中国科学院青年促进会基金资助项目(Y9YQ01R004);北方工业大学毓优人才项目;有研集团总部科技创新基金资助项目。
目前场效应晶体管生物传感器(BioFET)已成功用于生物医学检测。虽然BioFET在生物检测方面具有快速响应、无标记和高灵敏度检测等优点,但是BioFET用于生理环境检测时,容易受到德拜屏蔽效应的影响,导致灵敏度降低甚至无法检测。阐述了Bio...
关键词：场效应晶体管(FET) 生物传感器 德拜屏蔽效应 电双层 灵敏度 
离子敏感场效应晶体管传感器研究进展
《微电子学》2020年第6期860-867,共8页张双 张静 张青竹 魏千惠 魏淑华 王艳蓉 张兆浩 熊恩毅 方敏 闫江 屠海令 
中国科学院青年促进会基金资助项目(Y9YQ01R004);中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室课题基金资助项目(E0YS01X001)。
近年来,离子敏感场效应晶体管(ISFET)生物传感器因其灵敏度高、速度快、无标记、体积小、成本低等特点而受到了广泛关注,可应用于DNA、蛋白质、酶、细胞、离子等生物识别物的检测。ISFET生物传感器在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSF...
关键词：离子敏感场效应晶体管 生物传感器 传感层 电荷转移 界面电位 
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