杨涛

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供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文主题：刻蚀衬底半导体器件化学机械平坦化牺牲层更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子世界》《物理学报》《真空科学与技术学报》更多>>
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3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进
《物理学报》2024年第6期368-373,共6页方语萱 夏志良 杨涛 周文犀 霍宗亮 
国家科技重大专项(批准号:21-02)资助的课题。
随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产...
关键词：3D NAND闪存 氟攻击问题 字线漏电 低压退火 
面向水平GAA内侧墙模块的干法Si_(0.7)Ge_(0.3)选择性刻蚀研究
《真空科学与技术学报》2023年第5期396-402,共7页刘阳 李俊杰 吴次南 张青竹 王桂磊 周娜 高建峰 孔真真 韩江浩 罗彦娜 刘恩序 杨涛 李俊峰 殷华湘 罗军 王文武 
中科院先导A项目(XDA0330300);中国科学院支撑技术人才项目(E2YR01X001);环栅(GAA)纳米片器件干法释放功能开发(E2SH01X)。
针对环栅(Gate-All-Around,GAA)Si_(0.7)Ge_(0.3)的内侧墙(Inner spacer)空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题,本研究基于常规电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀设备,采用CF_(4)/O_(2)/He混合气体进行Si_(0.7)Ge_...
关键词：Si_(0.7)Ge_(0.3) 空腔刻蚀 刻蚀精度 粗糙度 刻蚀形貌 
实现高k/金属栅结构的介质化学机械平坦化技术
《电子世界》2020年第22期113-115,共3页张月 纪承尧 张慧斌 赵明 屈敏 杨涛 
近年来,随信息技术的迅猛发展,对集成电路性能、功耗不断提出更高的需求。在摩尔定律的推动下,集成电路的晶体管集成密度越来越高,不断更新迭代的先进制造技术是提升集成电路密度、提高性能、降低功耗的重要保障。集成电路制造工艺经历...
关键词：化学机械平坦化 半导体技术 摩尔定律 集成密度 集成电路 先进制造技术 金属栅 信息技术 
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