化学机械平坦化

作品数：94被引量：160H指数：6
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碳化硅衬底化学机械研磨机理
《电子工业专用设备》2025年第1期21-27,共7页罗付 蔡长益 潘宏明 詹阳 
化学机械平坦化(CMP)作为能够实现局部和全局平坦化的唯一方法,被广泛应用于碳化硅衬底加工中,其成本在碳化硅衬底加工中占30%~40%[1]。抛光液作为化学机械平坦化的主要耗材之一,不同抛光液的选取对平坦化的效果不同。为此针对不同磨料...
关键词：碳化硅 化学机械平坦化 抛光液 抛光垫 修整器 
SHA和TT-LYK在钴基阻挡层集成电路CMP中的协同作用
《应用化工》2024年第11期2546-2550,2561,共6页方淇 潘国峰 杨雪妍 胡连军 
国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金(F2020202067);石家庄市科技合作专项基金(SJZZXB23003);天津市自然科学基金青年项目(23JCQNJC00840)。
针对集成电路铜(Cu)互连Co阻挡层在化学机械抛光(CMP)过程中存在Cu/Co去除速率(RR)选择性差、易发生腐蚀等问题,采用CMP等实验方法,研究了新型络合剂水杨羟肟酸(SHA)以及抑制剂2,2′-{[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT-L...
关键词：化学机械平坦化 络合剂 腐蚀 SHA TT-LYK 
PTPC在化学机械平坦化中的应用
《电子工业专用设备》2024年第4期45-48,共4页白琨 贾若雨 岳爽 李嘉浪 
化学机械平坦化(CMP)在铜工艺中需要对晶圆形貌进行精准控制。精确调整过程控制系统(PTPC)利用传感器实时检测晶圆表面铜膜厚度,采用闭环控制实时调整研磨头分区压力。实现了比开环控制更加均匀的薄膜研磨过程,达到了均匀控制晶圆表面...
关键词：精确调整过程控制 闭环控制 压力 晶圆表面薄膜形貌 
简讯
《化学工程师》2024年第1期10-10,32,46,51,69,共5页
标普全球商品洞察发布《电子化学品——半导体、硅和IC工艺化学品》报告。2022年全球电子化学品市场达到约386亿美元,预计2028年以前,半导体电子化学品的消费量将以每年6.7%的增速继续增长。2022年,硅片以及特种气体几乎占半导体电子化...
关键词：电子化学品 化学机械平坦化 特种材料 湿法加工 特种气体 半导体电子 抛光盘 光刻胶 
钌基阻挡层铜膜CMP中E1310P的缓蚀机理研究被引量：1
《电子元件与材料》2023年第11期1362-1369,1383,共9页孙纪元 周建伟 罗翀 王辰伟 李丁杰 
国家自然科学基金(62074049)。
为了控制钌(Ru)基阻挡层铜膜(Cu)化学机械平坦化(CMP)的平坦化效果和表面质量,使用一种绿色无毒的阴离子表面活性剂异构十三醇聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)作为抛光液的缓蚀剂。研究了E1310P对Cu/Ru去除速率(RR)、静态腐蚀速率(SER)和表面...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 异构十三醇聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P) 电化学阻抗谱(EIS) 去除速率 
三氯化铁-草酸体系不锈钢化学机械抛光液设计与优化
《金刚石与磨料磨具工程》2023年第4期497-503,共7页王泽宇 彭亚男 苏建修 陈佳鹏 
江苏省精密与微细制造技术重点实验室开放基金;国家自然科学基金面上项目(51375149)。
为提高柔性显示衬底不锈钢箔片化学机械抛光加工效率,研制一种三氯化铁-草酸型抛光液并用于304不锈钢衬底的化学机械抛光加工过程。设计正交优化试验,确定磨粒粒径、磨料含量、草酸含量和三氯化铁含量对材料去除率和表面粗糙度(S_(a))...
关键词：化学机械平坦化 304不锈钢 三氯化铁-草酸 材料去除率 表面粗糙度 
CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究被引量：1
《电子工业专用设备》2023年第1期28-30,64,共4页李岩 于静 戴豪 钱震坤 
CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标。针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响。结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求。
关键词：化学机械平坦化(CMP) 清洗液 颗粒度 
新型抑制剂对铜膜CMP后碟形坑与蚀坑的影响被引量：2
《电子元件与材料》2022年第12期1367-1373,共7页李子豪 周建伟 王辰伟 马慧萍 张月 
国家自然科学基金(62074049)。
为了控制铜膜(Cu)表面在化学机械平坦化(CMP)过程中产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷,提出了将3-巯基-1,2,4-三氮唑(TAT)作为CMP抛光液中的抑制剂,研究了在抛光液低pH值条件下不同TAT浓度对Cu去除速率(RR)及静态腐蚀速率(SER)的影响,还研究了TA...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 碟形坑 蚀坑 3-巯基-1 2 4-三氮唑(TAT) 去除速率 
STI CMP中SiO_(2)/CeO_(2)混合磨料对SiO_(2)介质层CMP性能的影响被引量：5
《半导体技术》2022年第11期865-872,共8页刘志 王辰伟 周建伟 张新颖 刘光耀 李越 闫妹 
为了在浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)过程中提高对SiO_(2)介质层去除速率的同时保持晶圆表面一致性,研究了SiO_(2)/CeO_(2)混合磨料的协同作用以及对SiO_(2)介质层去除速率及一致性的影响。结果显示,相比于单一磨料,采用混合磨料...
关键词：化学机械平坦化(CMP) 二氧化硅(SiO_(2)) 混合磨料 片内非均匀性(WIWNU) 协同作用 
缓存区工位和调度系统在CMP设备中的应用
《电子工业专用设备》2022年第5期53-55,共3页田洪涛 王嘉琪 刘志伟 吴燕林 
介绍了一种半导体专用设备用的缓存装置及其调度方法,此调度方法适用于晶圆的多种工艺加工过程,针对设备在晶圆传输过程中遇到模块故障或者模块超时问题,合理的启用缓存区工位将有受损风险的晶圆收纳到缓存区,并在故障消除后将晶圆恢复...
关键词：化学机械平坦化(CMP)设备 缓存区 调度流程 
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