金属栅

作品数：155被引量：63H指数：4
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28nm HKMG技术中镍硅化物异常生长引发的失效
《半导体技术》2024年第9期838-843,共6页方精训 姜兰 
针对28nm高介电常数金属栅(HKMG)技术研发初期出现的镍硅化物异常导致的失效进行了深入探究。发现第二道镍硅化物激光退火工艺对产品良率有重要影响。对裸晶内失效位置进行透射电子显微镜(TEM)检测,结果表明失效区域均为PMOS器件的SiGe...
关键词：镍硅化物 良率 激光退火 热预算 高介电常数金属栅(HKMG) 
28nm高K金属栅技术平台光阻回刻工艺中提高刻蚀工艺稳定性的方法研究
《集成电路应用》2024年第6期66-69,共4页吕煜坤 王宇威 唐在峰 
阐述在28nm高K金属栅(28HKMG)技术平台中解决NMOS/PMOS区域栅极阻挡层高度差的主要方案,是在金属栅极制造工艺前插入光阻回刻系列工艺流程,使NMOS区域与PMOS区域的栅极高度获得一致。但该方案在实际量产中的主要难点是第二道回刻工艺(Et...
关键词：集成电路制造 28nm 高K金属栅 光阻回刻 工艺稳定性 
光阻回刻工艺缺陷与改善方法研究
《集成电路应用》2024年第5期62-65,共4页阚琎 苏良得 
阐述在金属栅极(例如AL)半导体芯片制造工艺中通常需要引入一段特有流程用来去除多晶硅(Poly)并进行金属再填充。光阻回刻工艺作为该流程中的关键步骤,主要目的是去除Poly顶端的硬质掩膜,便于后道工艺对Poly进行刻蚀。因为NMOS和PMOS的...
关键词：集成电路制造 金属栅极 光阻回刻工艺 缺陷分析 工艺窗口改善 
金属栅极中的功函数材料有效调节能力分析
《集成电路应用》2024年第1期57-59,共3页方精训 李二鹏 
阐述不同膜厚、氧化时间和顶层功函数材料制备方法下,氮化钛对器件有效功函数和漏电流的调控能力。氮化钛膜厚增加,器件有效功函数增加的速率逐渐变缓,由0.16eVnm^(-1)(0~2.1nm)下降到0.11eVnm^(-1)(2.1~3.2nm)。氮化钛氧化1h会使器件...
关键词：集成电路 功函数金属 有效功函数 氮化钛 钛铝 
基于GaAs表面等离子体栅阵结构的太赫兹调制器
《量子电子学报》2023年第2期275-281,共7页汪辰宇 廖宇 梅志杰 刘旭东 孙怡雯 
国家自然科学基金(61975135);广东省自然科学基金(2019A1515010869)。
太赫兹波具有载频高、带宽大、频谱信息丰富等特点,其在高速通信、分子检测和生物医学成像等领域的潜力已得到广泛关注。太赫兹调制器是太赫兹检测系统中的关键器件,但是当前已报道的调制器都不能同时具备高效、高速、低插入损耗等特点...
关键词：光电子学 太赫兹调制器 金属栅阵结构 肖特基二极管 
基于金属栅脊加载矩形波导慢波结构的非共振斜注管被引量：1
《真空科学与技术学报》2021年第8期780-788,共9页张凤贞 张兆传 高冬平 王笑妍 
提出了一种使用金属栅脊加载矩形波导慢波结构的非共振斜注管。研究了金属栅脊加载矩形波导慢波结构的高频特性,并将其与矩形波导栅慢波结构的高频特性进行对比。设计了一只使用金属栅脊加载矩形波导慢波结构的非共振斜注管和一只使用...
关键词：脊加载 金属栅 慢波结构 高频特性 非共振斜注管 
不同退火氛围对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构电荷分布的影响
《半导体技术》2021年第1期64-69,共6页徐永贵 韩锴 高建峰 
国家自然科学基金资助项目(61674003);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02301007-001)。
热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段。系统分析了两种不同的退火条件(氨气氛围和氧气氛围)对TiN/HfO_(2)/SiO_(2)/Si结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO_(2)/Si和HfO_(2)/SiO_(2)界面的界面电荷密度...
关键词：高K栅介质 金属栅 退火 电荷分布 偶极子 
实现高k/金属栅结构的介质化学机械平坦化技术
《电子世界》2020年第22期113-115,共3页张月 纪承尧 张慧斌 赵明 屈敏 杨涛 
近年来,随信息技术的迅猛发展,对集成电路性能、功耗不断提出更高的需求。在摩尔定律的推动下,集成电路的晶体管集成密度越来越高,不断更新迭代的先进制造技术是提升集成电路密度、提高性能、降低功耗的重要保障。集成电路制造工艺经历...
关键词：化学机械平坦化 半导体技术 摩尔定律 集成密度 集成电路 先进制造技术 金属栅 信息技术 
先进工艺下的版图邻近效应研究进展
《微电子学》2020年第5期675-682,共8页王英菲 张青淳 苏晓菁 董立松 陈睿 张利斌 盖天洋 粟雅娟 韦亚一 叶甜春 
国家自然科学基金资助项目(61804174);国家重大专项项目(2017ZX02315001);国家科技重大专项项目(2017ZX02101004)。
在28 nm及以下工艺节点,版图邻近效应已经成为一个重要问题。文章概述了版图邻近效应的研究及应用进展,介绍了Poly-gate、High-k/Metal-gate、FinFET等不同工艺下的6种版图邻近效应二级效应,包括阱邻近效应、扩散区长度效应、栅极间距...
关键词：版图邻近效应 CMOS 高k 金属栅 FINFET 
材料帮助图形成像以解决PPAC中的矛盾
《中国电子商情》2020年第7期56-60,共5页Regina Freed 
在半导体产业的黄金时代,当戈登·摩尔还在为自己的公司制定路线图时,平面尺寸的缩小就带来了功耗、性能和面积/成本的同步进步(PPAC)。但随着时间的推移,登纳德平面尺寸缩小定律对功耗的帮助受阻,而材料工程开始应用于半导体制造,以促...
关键词：半导体制造 金属栅极 半导体产业 尺寸缩小 路线图 黄金时代 
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