金属栅极

作品数：56被引量：14H指数：2
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光阻回刻工艺缺陷与改善方法研究
《集成电路应用》2024年第5期62-65,共4页阚琎 苏良得 
阐述在金属栅极(例如AL)半导体芯片制造工艺中通常需要引入一段特有流程用来去除多晶硅(Poly)并进行金属再填充。光阻回刻工艺作为该流程中的关键步骤,主要目的是去除Poly顶端的硬质掩膜,便于后道工艺对Poly进行刻蚀。因为NMOS和PMOS的...
关键词：集成电路制造 金属栅极 光阻回刻工艺 缺陷分析 工艺窗口改善 
金属栅极中的功函数材料有效调节能力分析
《集成电路应用》2024年第1期57-59,共3页方精训 李二鹏 
阐述不同膜厚、氧化时间和顶层功函数材料制备方法下,氮化钛对器件有效功函数和漏电流的调控能力。氮化钛膜厚增加,器件有效功函数增加的速率逐渐变缓,由0.16eVnm^(-1)(0~2.1nm)下降到0.11eVnm^(-1)(2.1~3.2nm)。氮化钛氧化1h会使器件...
关键词：集成电路 功函数金属 有效功函数 氮化钛 钛铝 
材料帮助图形成像以解决PPAC中的矛盾
《中国电子商情》2020年第7期56-60,共5页Regina Freed 
在半导体产业的黄金时代,当戈登·摩尔还在为自己的公司制定路线图时,平面尺寸的缩小就带来了功耗、性能和面积/成本的同步进步(PPAC)。但随着时间的推移,登纳德平面尺寸缩小定律对功耗的帮助受阻,而材料工程开始应用于半导体制造,以促...
关键词：半导体制造 金属栅极 半导体产业 尺寸缩小 路线图 黄金时代 
20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术被引量：1
《电子工业专用设备》2017年第1期8-13,共6页Vincent Charbois Julie Lebreton Mylène Savoye Eric Labonne Antoine Labourier Benjamin Dumont Chet Lenox Mike von Den Hof 
介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检测优化与缺陷减少方法是针对高性能逻辑器件所用的300 mm晶圆上的高介电常数金属栅极(HKMG)层叠模块而实施的。
关键词：缺陷检测与减少(DI) 成品率改善/学习(YE) 
磨料粒径对铝栅CMP去除速率和粗糙度的影响被引量：1
《电镀与精饰》2017年第1期29-31,39,共4页张金 刘玉岭 闫辰奇 张文霞 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308)
在铝栅化学机械平坦化(CMP)中磨料直接影响去除速率和表面粗糙度。采用不同粒径的磨料配置抛光液对铝栅进行CMP实验,对去除速率和表面形貌测试结果进行分析。结果表明,去除速率与参与抛光的磨料颗粒数目和单个颗粒去除速率有关,表面粗...
关键词：化学机械平坦化 去除速率 粒径 粗糙度 高k金属栅极 
基于柔性塑料薄膜的高性能晶体管面世
《塑料制造》2016年第5期26-26,共1页
美国威斯康星大学麦迪逊分校(UW Madison)的研究人员们,已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅大大简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的制造工艺,还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇...
关键词：印刷线路板 使用标准 制造设备 制造工艺 Madison 金属栅极 沟道效应 电子设备 伯克利 纳米压印 
中芯国际28nm HKMG工艺成功流片
《中国集成电路》2016年第3期1-1,共1页
中芯国际日前宣布，28nm高介电常数金属栅极（HKMG）工艺已经成功流片。中芯国际是中国大陆第一家能够同时提供28nm多晶硅（PolySiON）、28nmHKMG工艺的晶圆代工企业。与传统的Poly SiON工艺相比，HKMG技术可有效改善驱动能力，进而提...
关键词：工艺 国际 金属栅极 高介电常数 中国大陆 晶圆代工 POLY 驱动能力 
硅纳米线:芯片设计领域的下一大热门
《微电脑世界》2012年第8期14-14,共1页沈建苗 
晶体管架构方面的下一步很可能是硅纳米线——这种极薄的硅导线将组成晶体管的沟道,四面由环绕式二氧化硅围住,这种二氧化硅就叫高K金属栅极(high-K metal gate)。
关键词：硅纳米线 芯片设计 二氧化硅 METAL 金属栅极 晶体管 环绕 
先行一步魅族MX四核
《商业故事（数字通讯）》2012年第9期17-17,共1页
之前魅族发售MX时就表示过该机型会有两个版本：16GB双核以及32GB四核。如今魅族正式公布了MX四核的具体规格：新机型会搭载三星ExynosA9高效低功耗四核处理器，该款处理器采用32nm制程及高K金属栅极技术（HKMG）．整体功耗下降约20％...
关键词：四核处理器 MX 图像处理能力 金属栅极 电池容量 低功耗 新机型 
英特尔、美光联合开发出高密度低成本20nm闪存
《半导体信息》2012年第1期22-22,共1页郑冬冬 
英特尔和美光科技(MicronTechnology)日前宣布,已开发出128Gb的NAND闪存,新元件采用了针对闪存改良的20 nm工艺制程,将high-k金属栅极(HKMG)晶体管包含在内。两家公司声称,他们开发出了全球首款独立型128 Gb存储器,并表示将立即使用相...
关键词：NAND 金属栅极 工艺制程 nm 首款 浮栅 联合开发 独立型 固态硬盘 制程技术 
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