晶体管

作品数：12390被引量：10559H指数：27
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：郝跃黄如张盛东彭俊彪张波更多>>
相关机构：京东方科技集团股份有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三星显示有限公司乐金显示有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
IGBT相变冷板的设计和数值模拟
《半导体技术》2025年第5期506-513,531,共9页潘子升 周俊屹 余时帆 胡桂林 
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了...
关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型 
纤维基有机电化学晶体管葡萄糖传感器的制备及性能研究
《高等学校化学学报》2025年第5期37-46,共10页李劲松 杨思蕊 孙世民 李中波 张利君 
国家自然科学基金(批准号:52403218);安徽高校自然科学研究项目(批准号:KJ2021A0131);安徽农业大学大学生创新训练项目(批准号:X202410364365)资助.
纤维基有机电化学晶体管具有柔性可穿戴、工作电压低、灵敏度高和生物相容性好等优点,在可穿戴电子器件及生物传感领域应用前景广阔.本文以棉纤维为电极原料,利用石墨烯(Gr)以及聚(3,4-乙撑二氧噻吩)-聚对苯乙烯磺酸钠(PEDOT∶PSS)对纤...
关键词：纤维基有机电化学晶体管 传感器 葡萄糖 无创检测 
4H-SiC双极型光电晶体管电子束辐照效应
《强激光与粒子束》2025年第5期29-35,共7页叶思恩 黄丹阳 付祥和 赵小龙 贺永宁 
国家自然科学基金项目(62004158)。
当光电晶体管偏置在5 V下,辐照前,其暗电流约为58 nA,对365 nm紫外光的响应度约为31 A/W;器件经过10 MeV电子束辐照后,暗电流的数量级下降到10-11 A,响应度下降到原来的1/8左右。辐照后,器件的响应度受偏置电压的影响明显,随着偏置电压...
关键词：4H-SiC探测器 双极型晶体管 电子束辐照 响应电流 紫外探测 
面向后摩尔Ge-CMOS制造的超薄高介电常数LaLuO_(3)栅介质工艺研究
《物理学报》2025年第9期277-283,共7页唐晓雨 刘玉杰 花涛 
国家自然科学基金(批准号:62104102);南京工程学院引进人才基金(批准号:YKJ201827)资助的课题.
IV族元素锗材料由于具有电子和空穴迁移率高、禁带宽度小、与硅工艺相兼容等优势,在低功耗高迁移率场效应晶体管领域具有广泛的应用潜力,相应的Ge基金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术成为延续摩尔(more Moore)和超越摩尔(more...
关键词：Ge 基金属-氧化物-半导体场效应晶体管 栅极结构工艺 稀土氧化物 高介电常数 
车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述
《汽车工程师》2025年第4期1-9,共9页李尊 张政 吴毅卓 王学耀 
针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D...
关键词：电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率 
西安电子科技大学在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展
《陕西教育(高教版)》2025年第4期9-9,共1页陈栋(整理) 
据西安电子科技大学网站,近日,西安电子科技大学杭州研究院(西电杭研院)韩根全教授课题组在铁电场效应晶体管(FeFET)存储和存算技术领域取得重要进展,相关研究成果以“Low-power Edge Detection Based on Ferroelectric Field-Effect Tr...
关键词：铁电场效应晶体管 西安电子科技大学 FET 
具有N型赝埋层的新型SiGe-HBT器件及应用研究
《固体电子学研究与进展》2025年第2期97-100,共4页刘冬华 陈曦 钱文生 
提出了一种新型锗硅异质结双极晶体管(Germanium silicon heterojunction bipolar transistor,SiGe-HBT)结构,摒弃了传统SiGe-HBT中的深隔离沟槽、N型埋层以及通过外延生长形成的集电区。通过在浅隔离槽底部采用离子注入技术形成N型赝埋...
关键词：N型赝埋层 锗硅异质结双极晶体管 深接触孔 
晶体管进化史
《无线电》2025年第4期74-79,共6页杜洋 
很多基础知识讲解类的文章认为:学习一个元器件,就是讲解它的工作原理。的确,原理很重要,但要想从根本上了解元器件,就得知道它是怎么来的,它的出现在历史上解决了哪些问题。只有了解前因后果,才能传承有序,所学的知识才能在我们的大脑...
关键词：技术发展史 进化史 PN结 二极管 工作原理 
氧化物TFT源栅极短路缺陷原因解析及抑制措施
《液晶与显示》2025年第4期566-576,共11页刘丹 樊小军 陈威 刘巍 刘川 杜宏伟 杨生 吴旭 闵泰烨 王章涛 张浩雄 谌伟 王念念 熊永 黄中浩 
重庆京东方科技攻关项目(No.306053)。
氧化物TFT(Thin Film Transistor)源漏极短路(Gate Data Short,DGS)缺陷导致显示品质恶化和产品报废,明确DGS原理、识别影响因素并输出解决方案对确保产品良率和品质具有积极意义。本文首先确认了DGS宏观现象和微观形貌,随后探究了栅极...
关键词：铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 电迁移 电介质击穿 
有机电化学晶体管循环稳定性的衰退机理分析
《电子科技大学学报》2025年第2期191-196,共6页徐洁 解淼 黄伟 
国家自然基金面上项目(62273073);四川省中央引导地方科技发展专项(2023ZYD0161)。
有机电化学晶体管(organic electrochemical transistor, OECT)作为高效的离子-电子换能器在生物电子学领域受到了广泛关注。但当前具有超高循环稳定性的OECT仍然鲜有报道,成为了阻碍其进一步发展及商业化的瓶颈问题。为了探究循环稳定...
关键词：有机电化学晶体管 循环稳定性 衰退机理 复合离子-电子半导体 生物电子学 
全选清除导出
共1,231页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部